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ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템

  • 기술번호 : KST2014048842
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 나노와이어 대면적 전지소자 성장 시스템에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판이 장착을 위한 기판 홀더가 내부에 배치되며, 성장 용액이 주입되는 ZnO 성장 배스 및 상기 ZnO 성장 배스를 감싸며 상기 ZnO 성장 배스 전체에 고르게 일정한 열을 제공하는 순환 더블 자켓형 배스를 포함하는 ZnO 나노와이어 대면적 전지소자 성장 시스템의 구성을 개시한다. 본 발명에 따르면, 균일한 밀도와 길이 및 직경을 가지는 대면적의 ZnO 나노와이어 전지소자를 성장시킬 수 있다.
Int. CL C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020100050812 (2010.05.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1219440-0000 (2013.01.02)
공개번호/일자 10-2011-0131394 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이경일 대한민국 서울특별시 양천구
4 김선민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0347020-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098233-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0183979-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0420861-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0420862-76
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0640382-13
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0965169-25
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0965170-72
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0780649-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 장착을 위한 기판 홀더가 내부에 배치되며, 상기 기판 홀더에 장착된 기판이 잠기게 성장 용액이 주입되는 일정 공간을 가지는 ZnO 성장 배스와;상기 ZnO 성장 배스를 감싸며 상기 ZnO 성장 배스 전체에 고르게 일정한 열을 제공하는 순환 더블 자켓형 배스;를 포함하고,상기 ZnO 성장 배스는일측이 개구되고 상기 기판 홀더가 배치되는 내측 공간을 가지는 성장 배스와;상기 성장 배스의 내측 공간의 중심부에 수직하게 배치되는 상기 기판 홀더;상기 성장 배스의 내측 공간에 마련되되 상기 기판 홀더의 상측에 배치되어 주입된 성장 용액을 흡입하는 입력 펌프;상기 성장 배스의 내측 공간에 마련되되 상기 기판 홀더의 하측에 배치되어 흡입된 성장 용액을 상기 성장 배스 내에서 분출하여 상기 입력 펌프와 함께 성장 용액을 상기 성장 배스 내에서 순환시키는 출력 펌프와;상기 성장 배스의 개구된 영역을 덮는 커버와;상기 커버 일측에 마련되어 상기 성장 배스 내부로 성장 용액을 주입할 수 있도록 마련된 주입구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
2 2
제1항에 있어서,상기 순환 더블 자켓형 배스는내부에 고르게 분포하며 내포된 열을 상기 ZnO 성장 배스의 전체에 중탕 방식으로 전달하는 오일과;외부로 열이 발산되는 것을 방지하기 위하여 배스 외부에 마련되는 단열재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 성장 배스의 일측에 마련되어 상기 성장 용액의 배출시킬 수 있는 배출 수단과;상기 성장 배스 내벽에 마련되는 테프론 코팅층; 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
5 5
제4항에 있어서,상기 성장 배스의 내측 공간은상기 배출 수단이 위치한 영역으로 일정한 경사를 가지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
6 6
제1항에 있어서,상기 성장 배스는 스테인리스 스틸 재질인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
7 7
제4항에 있어서,상기 배출 수단과 연결되는 파이프라인과;상기 배출 수단과 연결되는 파이프라인과 연결되며 상기 성장 배스 내에 존재하는 용액의 배출을 일시적으로 저장하는 폐액 보조 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
8 8
제1항에 있어서,상기 순환 더블 자켓형 배스에 분포하는 오일을 가열하기 위한 오일 보조 챔버;를 더 포함하고,상기 오일 보조 챔버는상기 오일이 임시 저장 또는 이동하는 공간을 제공하는 오일 챔버와;상기 오일 챔버 전면에 일정한 열을 제공하는 오일 히터와;상기 순환 더블 자켓형 배스 일측과 연결되는 적어도 하나의 파이프라인; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
9 9
제8항에 있어서,상기 오일 히터는상기 오일 챔버 전면을 감싸는 열선과;상기 열선에 전원을 공급하는 전원 공급 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
10 10
제8항에 있어서,상기 오일 보조 챔버와 파이프라인으로 연결되며 상기 순환 더블 자켓형 배스와 파이프라인으로 연결되어 상기 오일 보조 챔버의 오일 순환을 지원하는 오일 순환 펌프;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
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1 지식경제부 전자부품연구원 산업원천기술개발사업 액상공정기반 나노구조체 제작기술