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인공 관절용 고분자 소재의 내마모성 향상 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2014049389
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인공 관절용 고분자 소재, 특히 초고분자량 폴리에틸렌의 내마모성 향상을 위한 것으로, 고체 이온을 위 고분자 소재의 표면에 효율적으로 이온 주입하기 위하여 고안된 것으로, 동기화된 펄스전압이 인가된 마그네트론(magnetron) 스퍼터링 증착원과 고전압 펄스를 이용함으로써 고체 원소 이온의 플라즈마 형태로의 주입을 가능하게 하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.종래 박막증착을 위한 증착원으로서 이용되고 있었던 마그네트론 스퍼터링 증착원으로서 생체적합성이 뛰어나고 시료 내부로 이온주입되어 세라믹 입자를 형성할 수 있는 원소의 스퍼터링 증착원을 장착하여 펄스직류 전원을 이용한 펄스 모드로 작동하고, 이와 동기화된 고전압 펄스를 시료에 인가함으로써 펄스 모드의 마그네트론 스퍼터링 증착원으로부터 발생된 이온을 가속하여 시료의 표면에 이온주입을 할 수 있게 한다. 본 발명에 의한, 고체 원소 플라즈마 이온주입 방법은, 펄스 마그네트론 스퍼터링 증착원과 동기화된 고전압 펄스를 이용함으로써, 소재의 표면에 고체 이온을 효율적으로 이온 주입할 수 있으며, 이로 인하여 인공 관절용 소재의 내마모성 향상을 구현할 수 있다.
Int. CL C23C 14/12 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/38 (2006.01) A61L 27/30 (2006.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01)
출원번호/일자 1020100003765 (2010.01.15)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1181449-0000 (2012.09.04)
공개번호/일자 10-2011-0083827 (2011.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승희 대한민국 서울특별시 노원구
2 박원웅 대한민국 서울특별시 송파구
3 전준홍 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 최진영 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0027151-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0009671-96
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0487691-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0734476-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0113787-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0113786-81
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0420117-26
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0651634-24
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0651633-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0493984-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공조;상기 진공조에 장착된 플라즈마 발생 가스 도입장치; 상기 진공조 내에 장착되는 마그네트론 스퍼터링 증착원; 상기 진공조 내에 상기 마그네트론 스퍼터링 증착원에 이격되어 설치되고 시료가 장착되는 시료 장착대;상기 마그네트론 스퍼터링 증착원과 상기 시료 장착대 사이에 전도성 그리드가 위치하도록 상기 시료 장착대에 장착되는 전도성 그리드; 상기 마그네트론 스퍼터링 증착원에 펄스 직류 전원을 인가하여 플라즈마 이온이 발생하도록 하는 펄스직류 전원 장치; 및상기 펄스직류 전원 장치에 의해 전원이 인가되어 발생된 플라즈마 이온을 시료 장착대의 시료 방향으로 가속되도록, 상기 시료 장착대에 상기 펄스 직류 전원와 동일한 주파수로 동기화된 음(-)의 고전압 펄스를 인가하는 고전압펄스 전원 장치를 포함하는, 고체이온 주입 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 증착원을 이루는 마그네트론 스퍼터링 타겟은 붕소, 실리콘, 티타늄, 지르코늄, 나이오븀 및 탄탈륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 것인 고체이온 주입 장치
4 4
삭제
5 5
진공조 내부에서 전도성 그리드가 장착된 시료 장착대 위에 고분자 시료를 위치시켜 상기 고분자 시료가 마그네트론 스퍼터링 증착원과의 사이에 전도성 그리드를 두고 시료 장착대 위에 놓이도록 하는 단계;상기 진공조 내부가 진공 상태가 되도록 배기하는 단계;상기 진공조 내부에 플라즈마 발생 가스를 공급하는 단계; 마그네트론 스퍼터링 증착원을 이루는 마그네트론 스퍼터링 타겟에 펄스 직류를 인가함과 동시에 상기 시료장착대에 음(-)의 고전압 펄스를 상기 펄스직류와 동일한 주파수로 동기화시켜 인가하는 단계; 및상기 타겟으로부터 발생된 고체이온가 전도성 그리드를 통과하여 플라즈마 이온 형태로 고분자 시료의 표면에 주입되는 단계;를 포함하는, 고분자를 처리하는 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 상기 펄스직류의 전력밀도가 10 W/cm2 내지 10 kW/cm2 인 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 상기 펄스직류의 주파수와 펄스폭이 각각 0
8 8
제5항에 있어서, 상기 시료장착대에 인가되는 고전압 펄스의 펄스폭 및 음(-)의 펄스 고전압이 각각 1 μsec 내지 200 μsec, 및 -1 kV 내지 -100 kV 인 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 가스가 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 및 크세논 중 1종 이상을 포함하는 것인 방법
10 10
제5항에 있어서, 상기 진공조 내부의 플라즈마 발생 가스의 압력이 0
11 11
제5항에 있어서, 상기 고분자가 폴리에틸렌인 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 고분자가 초고분자량 폴리에틸렌인 방법
13 13
제5항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 처리된 고분자를 포함하는 인공관절
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.