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비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049483
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열 방사 방지막은, 기판; 상기 기판 상의 제1 비정질 산화아연층; 상기 제1 비정질 산화아연층 상의 단열층; 및 상기 단열층 상의 제2 비정질 산화아연층을 포함하여 구성된다. 열 방사 방지막 제조방법은, 기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계; 상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성하는 단계; 및 상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020100063867 (2010.07.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1210974-0000 (2012.12.05)
공개번호/일자 10-2012-0003164 (2012.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20121211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 박동훈 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0429915-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0050577-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0165508-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0405108-72
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0493049-62
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0580600-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0670477-42
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0107044-29
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0752928-33
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0752927-98
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0734980-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상의 제1 비정질 산화아연층;상기 제1 비정질 산화아연층 상의 단열층; 및상기 단열층 상의 제2 비정질 산화아연층을 포함하되,상기 제1 비정질 산화아연층은 X1·Y1·ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X1은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y1은 주석(Sn)이며,상기 제2 비정질 산화아연층은 X2·Y2·ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X2는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y2는 주석(Sn)인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층이 복수 번 반복하여 적층되는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
3 3
제1항에 있어서,상기 단열층은 은(Ag)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 단열층의 두께는 1nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 비정질 산화아연층의 두께는 10nm 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
8 8
제1항에 있어서,상기 제2 비정질 산화아연층의 두께는 10nm 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막
9 9
기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계;상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성하는 단계; 및상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 비정질 산화아연층은 X1·Y1·ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X1은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y1은 주석(Sn)이며,상기 제2 비정질 산화아연층은 X2·Y2·ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X2는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y2는 주석(Sn)인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계 전에,상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 단열층을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법 또는 열증착법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층을 복수 번 반복하여 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.