맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

고휘도 유기발광다이오드의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2014049405
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고휘도 및 고효율의 유기발광다이오드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.굴곡구조가 형성된 유리기판과, 상기 유리기판의 상기 굴곡구조상에 형성되는 투명전극층과, 상기 투명전극층상에 형성되는 p-type 유기층과, 상기 p-type 유기층상에 형성되는 n-type 유기층과, 상기 n-type 유기층상에 형성되는 캐소드층을 포함하는 유기발광다이오드가 제시된다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020100031753 (2010.04.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1160633-0000 (2012.06.21)
공개번호/일자 10-2011-0112579 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.07)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김선호 대한민국 서울특별시 종로구
3 이석 대한민국 서울특별시 서초구
4 변영태 대한민국 경기도 구리시
5 전영민 대한민국 서울특별시 강남구
6 김재헌 대한민국 부산광역시 동구
7 정용우 대한민국 서울특별시 동대문구
8 박민철 대한민국 서울특별시 강남구
9 김신근 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0220890-39
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0428187-53
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0767111-65
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0828614-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0955893-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0955895-30
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0248250-00
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0419093-47
9 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067201-74
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0330985-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
광의 방출면과 그 이면을 갖는 유리기판의 상기 이면에 수십 나노미터 두께의 금박막을 증착시키는 단계와, 상기 유리기판상의 금박막이 섬형태로 변형되도록 열처리를 하는 단계와, 상기 섬형태의 금을 마스크로 사용하여 식각 공정을 통하여 상기 유리기판의 이면에 굴곡구조를 형성하는 단계와, 상기 유리기판에서 섬형태의 금을 제거하는 단계와, 상기 유리기판의 굴곡구조의 표면에 투명전극층을 굴곡구조를 갖도록 증착하는 단계와, 상기 굴곡구조의 투명전극층상에 p-type 유기층을 굴곡구조를 갖도록 증착하는 단계와, 상기 굴곡구조의 p-type 유기층상에 n-type 유기층을 굴곡구조를 갖도록 증착하는 단계와, 상기 굴곡구조의 n-type 유기층상에 캐소드층을 굴곡구조를 갖도록 증착하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 유리기판의 상기 광의 방출면에 굴곡구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광다이오드 제조 방법
9 9
삭제
10 10
청구항 7에 있어서,상기 유리기판에 금 박막을 증착시키는 단계에서, 상기 금 박막은 1nm~100nm의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 제조 방법
11 11
청구항 7에 있어서,상기 열처리하는 단계는 200℃~1000℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.