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비정질 실리콘 태양전지와 유기 태양전지를 이용한 탠덤형 태양전지 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049513
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘 태양전지와 유기 태양전지를 이용한 탠덤형 태양전지에 관한 것으로, 서로 다른 밴드갭을 갖는 비정질 실리콘 태양전지와 유기 태양전지를 전기적으로 직렬연결된 적층된 형태로 포함하는 본 발명의 탠덤형 태양전지는 보다 광범위한 영역의 빛을 흡수할 수 있을 뿐만 아니라 향상된 개방전압 성능을 나타낼 수 있다.
Int. CL H01L 31/047 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100075911 (2010.08.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1117127-0000 (2012.02.09)
공개번호/일자 10-2012-0013731 (2012.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경곤 대한민국 서울특별시 성북구
2 한승희 대한민국 서울특별시 노원구
3 김홍곤 대한민국 서울특별시 강남구
4 고민재 대한민국 충청남도 천안시 서북구
5 이도권 대한민국 서울특별시 성북구
6 김태희 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0508047-43
2 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0004583-44
3 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0006178-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0348716-52
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0642498-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0642479-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067406-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
유리기판, 투명전극층, p형 비정질 실리콘층, i형 비정질 실리콘층, n형 비정질 실리콘층, 정공수송층, 유기 광활성층 및 금속전극층을 순차적으로 적층된 형태로 포함하는 구조를 가지며, 상기 정공수송층이 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 아연(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타늄(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브덴(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 주석(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트륨(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬-타이타늄(Sr-Ti)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는,탠덤형 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탠덤형 태양전지가 유기 광활성층과 금속전극층 사이에 전자수송층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 탠덤형 태양전지가 n형 비정질 실리콘층과 정공수송층 사이에 금속물질 재결합층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
5 5
삭제
6 6
제 3 항에 있어서,상기 전자수송층이 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 아연(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타늄(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브덴(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 주석(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트륨(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 스트론튬-타이타늄(Sr-Ti)산화물, 플루오르화리튬(LiF), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS), 폴리아닐린(polyaniline), 및 폴리피롤(polypyrrole)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
7 7
제 4 항에 있어서,상기 금속물질 재결합층이 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103140935 CN 중국 FAMILY
2 US20130118567 US 미국 FAMILY
3 WO2012018237 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012018237 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103140935 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2013118567 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2012018237 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2012018237 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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