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Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049554
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Mo 후면전극 상에 적층되는 광흡수층의 우선배향성을 제어하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 후면전극과 광흡수층이 순차적으로 적층된 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 후면전극과 광흡수층 사이에 우선배향성 제어층을 구비시키고, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 조절함으로써 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 제어하는 것을 특징으로 한다. 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0.1～20%로 조절하여 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 갖는 결정립과 (112) 우선배향성을 갖는 결정립의 비율을 1～24로 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020100127450 (2010.12.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1131008-0000 (2012.03.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.14)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정증현 대한민국 서울특별시 관악구
2 윤주헌 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
4 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
5 박종극 대한민국 서울특별시 서초구
6 정병기 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0822342-95
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0616063-11
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0865936-81
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0865937-26
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0156847-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
후면전극과 광흡수층이 순차적으로 적층된 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 후면전극과 광흡수층 사이에 우선배향성 제어층을 구비시키고, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 조절함으로써 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 제어하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층과 광흡수층 사이의 계면에 우선배향성 제어층을 구성하는 금속(M)과 광흡수층의 Se이 반응하여 형성된 MxSe1-x가 구비되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 M은 Mo, Ni, W, Co, Ti, Cu, Cr, Al, Au 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 후면전극과 우선배향성 제어층은 동일 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 후면전극은 단일층 또는 이중층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 후면전극은 Mo, Ni, W, Co, Ti, Cu, Cr, Al, Au 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 광흡수층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2계 반도체 화합물로서 (Ag1-xCux)(Ina,Gab,Alc)(a+b+c=1)(Se1-ySy)2 또는 Cu2ZnSn(Se,S)4(CZTS)인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 후면전극은 기판 상에 구비되며, 상기 기판은 투명 재질의 절연물질, 금속, 폴리머 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
11 11
후면전극, 우선배향성 제어층 및 광흡수층을 순차적으로 적층하며, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 조절함으로써 광흡수층의 (220)/(204) 우선배향성을 제어하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층의 증착시 증착 압력을 4～25mTorr로 조절하여 상기 우선배향성 제어층의 벌크기공율을 0
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 우선배향성 제어층은 스퍼터링을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 광흡수층의 증착시, 우선배향성 제어층을 구성하는 금속(M)과 광흡수층의 Se이 반응하여 MxSe1-x가 형성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 광흡수층의 증착시, 3단계 동시증발법을 이용하며 제 1 단계로 IGS 박막을 증착하며, 상기 IGS 박막과 우선배향성 제어층 사이에 우선배향성 제어층을 구성하는 금속(M)과 광흡수층의 Se이 반응하여 MxSe1-x가 형성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
18 18
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 M은 Mo, Ni, W, Co, Ti, Cu, Cr, Al, Au 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 후면전극과 우선배향성 제어층은 동일 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
20 20
제 11 항에 있어서, 상기 후면전극은 단일층 또는 이중층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
21 21
제 11 항에 있어서, 상기 후면전극은 Mo, Ni, W, Co, Ti, Cu, Cr, Al, Au 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
22 22
제 11 항에 있어서, 상기 광흡수층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2계 반도체 화합물로서 (Ag1-xCux)(Ina,Gab,Alc)(a+b+c=1)(Se1-ySy)2 또는 Cu2ZnSn(Se,S)4(CZTS)인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
23 23
제 11 항에 있어서, 상기 후면전극은 기판 상에 적층되며, 상기 기판은 투명 재질의 절연물질, 금속, 폴리머 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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