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그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014050381
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판; 상기 기판 상부에 적층되고 광캐리어가 이동하는 그래핀 전도부; 상기 그래핀 전도부 상부에 형성되고 빛에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍을 발생시키는 나노와이어 집광부; 및 상기 그래핀 전도부의 양측면에 각각 연결되어 광캐리어를 외부에 전달하는 금속전극;을 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 실리콘 기판에 그래핀층을 전사시킨 후 상기 그래핀층 상부에 촉매를 패터닝하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 그래핀층 상부에 패터닝된 촉매에 나노와이어 원료물질을 공급하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 전사된 그래핀층 양측면 각각에 금속전극을 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/0384 (2006.01.01) H01L 31/0296 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1020110012479 (2011.02.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1227600-0000 (2013.01.23)
공개번호/일자 10-2012-0092431 (2012.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 이형우 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 허광 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0100367-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0183242-87
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0427025-96
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0427026-31
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0635339-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상부에 적층되고 광캐리어가 이동하는 그래핀 전도부; 상기 그래핀 전도부 상부에 형성되고 빛에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍을 발생시키는 나노와이어 집광부; 및상기 그래핀 전도부의 양측면에 각각 연결되고, 상기 나노와이어 집광부와는 직접적으로 접촉하지 않는, 광캐리어를 외부에 전달하기 위한 금속전극;을 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 그래핀 전도부는 단층인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 CdS, CdSe 또는 CdTe인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 복수개로 구비되는 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 광센서는 100∼3000 ㎐에서 광감도가 85∼100 %인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서
6 6
실리콘 기판에 그래핀층을 전사시킨 후 상기 그래핀층 상부에 촉매를 패터닝하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 패터닝된 촉매에 나노와이어 원료물질을 공급하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 1에서 전사된 그래핀층 양측면 각각에 금속전극을 제조하되, 상기 금속전극은 상기 나노와이어와 직접적으로 접촉하지 않도록 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 전사는 소프트 트랜스퍼 프린팅(soft transfer printing), PDMS 전사방법, PMMA 전사방법, 열방출 테이프 전사방법 또는 롤 전사방법인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 촉매는 Au인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 단계 2의 나노와이어 원료물질은 CdS, CdSe 또는 CdTe인 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 단계 2의 성장은 600∼700 ℃에서 35∼45 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 단계 3의 금속전극은 열증착법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 세포막 단백질의 단분자 동역학적 특성 연구를 위한 나노물리소자기술 개발