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인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치

  • 기술번호 : KST2014050433
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 캐소드; 상기 캐소드 상에 형성되며 제1정공수송물질과 제1 p형 도펀트를 포함하는 제1정공수송층, 상기 제1정공수송층 상에 형성되며 제1전자수송물질과 n형 도펀트를 포함하는 제1전자수송층, 상기 제1전자수송층 상에 형성되며 제2전자수송물질을 포함하는 제2전자수송층; 상기 제2전자수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성되며 제2정공수송물질을 포함하는 제2정공수송층; 상기 제2정공수송층 상에 형성되며 제3정공수송물질과 제2 p형 도펀트를 포함하는 제3정공수송층 및 상기 제3정공수송층 상에 형성된 애노드;를 포함하고, 상기 제2전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(Lowest unoccupied molecular orbial: LUMO)의 절대값과 상기 제1전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)의 절대값의 차이가 0 내지 0.5eV인 인버티드 유기 발광 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H05B 33/18 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/5004(2013.01)
출원번호/일자 1020100140556 (2010.12.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1258610-0000 (2013.04.22)
공개번호/일자 10-2012-0078298 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울특별시 종로구
2 이정환 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김지환 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0880973-22
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0097380-47
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0103914-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0462106-08
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0815599-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0918883-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0918884-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0081098-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐소드; 상기 캐소드 상에 형성되며 제1정공수송물질과 제1 p형 도펀트를 포함하는 제1정공수송층, 상기 제1정공수송층 상에 형성되며 제1전자수송물질과 n형 도펀트를 포함하는 제1전자수송층, 상기 제1전자수송층 상에 형성되며 제2전자수송물질을 포함하는 제2전자수송층; 상기 제2전자수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성되며 제2정공수송물질을 포함하는 제2정공수송층; 상기 제2정공수송층 상에 형성되며 제3정공수송물질과 제2 p형 도펀트를 포함하는 제3정공수송층 및 상기 제3정공수송층 상에 형성된 애노드;를 포함하고,상기 제2전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(Lowest unoccupied molecular orbial: LUMO)의 절대값과 상기 제1전자수송층의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)의 절대값의 차이가 0 내지 0
2 2
제1항에 있어서,상기 제1정공수송층과 상기 제1전자수송층이 서로 접하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1전자수송물질과 제2전자수송물질이 서로 동일한 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1전자수송물질이 2-메틸피리미딘계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 n형 도펀트가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 란타늄(La), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 이테르븀(Yb) 중 하나 이상의 금속; 상기 금속의 질화물; 상기 금속의 탄산염(carbonate); 및 상기 금속의 착물; 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 n형 도펀트가 Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3, Rb2CO3 및 Ba2CO3 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 n형 도펀트의 함량이 상기 제2전자수송층 재료의 총중량을 기준으로 0
8 8
제1항에 있어서,상기 n형 도펀트의 함량이 상기 제1전자수송층의 두께에 따라 농도 구배를 가지는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 제1전자수송층이 상기 n형 도펀트를 함유하는 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 상기 제1전자수송물질을 함유하는 제2층을 포함하는 이중층(bilayer)인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 p형 도펀트의 함량이 상기 제1정공수송층 재료의 총중량을 기준으로 0
11 11
제1항에 있어서,상기 제2 p형 도펀트의 함량이 상기 제3정공수송층 재료의 총중량을 기준으로 0
12 12
제1항에 있어서,상기 제1정공수송층 및 상기 제1전자수송층의 두께의 합이 50Å 내지 2000Å인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
13 13
제1항에 있어서,상기 캐소드가 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물 (IZO), 아연 산화물 (ZnO), Ag 및 Al 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
14 14
제1항에 있어서,상기 캐소드가 투명한 물질이고, 배면 발광형인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
15 15
제1항에 있어서,상기 애노드가 투명한 물질이고, 전면 발광형인 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
16 16
제1항에 있어서,상기 발광층과 상기 제2전자수송층 사이에 개재되는 정공저지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 발광 소자
17 17
기판, 상기 기판 상에 형성되며 소스 전극 및 드레인 전극, 산화물 반도체층, 게이트 전극, 및 게이트 절연층을 포함하는 n형 박막 트랜지스터; 상기 n형 박막 트랜지스터 상에 형성된 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 형성되는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 인버티드 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 인버티드 유기 발광 소자의 캐소드가 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 평판 표시 장치
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학 협력단 산업원천기술개발사업 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발