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제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 호스트 및 도펀트를 포함하는 발광층을 포함하되, 상기 도펀트는 전이 쌍극자 모멘트(transition dipole moment)의 상기 발광층의 평면에 대한 수평배향율(horizontal orientation ratio)이 75% 내지 100%이고, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로렙틱 이리듐 착물인 유기발광소자:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중, R1 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C20 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴기를 제외한 축합다환기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고, R5 내지 R8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬기 중에서 선택되고,상기 치환된 C1-C10 알킬기, 치환된 C2-C10 알케닐기, 치환된 C2-C10 알키닐기, 치환된 C1-C10 알콕시기, 치환된 C3-C10 시클로알킬기, 치환된 C2-C10 헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10 시클로알케닐기, 치환된 C2-C10 헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C20 아릴기, 치환된 C6-C20 아릴옥시기, 치환된 C6-C20 아릴티오기, 치환된 C2-C20 헤테로아릴기, 치환된 아릴기를 제외한 축합다환기, 치환된 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기의 치환기 중 적어도 하나는중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20 알킬기, C2-C20 알케닐기, C2-C20 알키닐기 또는 C1-C20 알콕시기; 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10 시클로알킬기, C2-C10 헤테로시클로알킬기, C3-C10 시클로알케닐기, C2-C10 헤테로시클로알케닐기, C6-C20 아릴기, C6-C20 아릴옥시기, C6-C20 아릴티오기, C2-C20 헤테로아릴기, 아릴기를 제외한 축합다환기, 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20 알킬기, C2-C20 알케닐기, C2-C20 알키닐기 또는 C1-C20 알콕시기; C3-C10 시클로알킬기, C2-C10 헤테로시클로알킬기, C3-C10 시클로알케닐기, C2-C10 헤테로시클로알케닐기, C6-C20 아릴기, C6-C20 아릴옥시기, C6-C20 아릴티오기, C2-C20 헤테로아릴기, 아릴기를 제외한 축합다환기, 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기;중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20 알킬기, C2-C20 알케닐기, C2-C20 알키닐기 또는 C1-C20 알콕시기, C3-C10 시클로알킬기, C2-C10 헤테로시클로알킬기, C3-C10 시클로알케닐기, C2-C10 헤테로시클로알케닐기, C6-C20 아릴기, C6-C20 아릴옥시기, C6-C20 아릴티오기, C2-C20 헤테로아릴기, 아릴기를 제외한 축합다환기, 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10 시클로알킬기, C2-C10 헤테로시클로알킬기, C3-C10 시클로알케닐기, C2-C10 헤테로시클로알케닐기, C6-C20 아릴기, C6-C20 아릴옥시기, C6-C20 아릴티오기, C2-C20 헤테로아릴기, 아릴기를 제외한 축합다환기, 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기; 또는-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37); 이고;상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C20 알킬기, C2-C20 알케닐기, C2-C20 알키닐기 또는 C1-C20 알콕시기, C3-C10 시클로알킬기, C2-C10 헤테로시클로알킬기, C3-C10 시클로알케닐기, C2-C10 헤테로시클로알케닐기, C6-C20 아릴기, C6-C20 아릴옥시기, C6-C20 아릴티오기, C2-C20 헤테로아릴기, 아릴기를 제외한 축합다환기, 헤테로아릴기를 제외한 헤테로축합다환기이다
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