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실라잔 물질로 표면 처리한 탄소나노튜브 코팅 기판 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014051069
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실라잔 물질로 표면 처리한 탄소나노튜브 코팅 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 코팅 기판은 베이스 기판과, 베이스 기판의 표면에 형성된 실라잔 물질의 표면 처리막, 및 표면 처리막 위에 형성된 탄소나노튜브 전도막을 포함한다. 이때 표면 처리막을 형성하는 실라잔 물질은 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane; HMDS)일 수 있다. 이와 같이 베이스 기판을 실라잔 물질로 표면 처리함으로써, 베이스 기판에 손상을 주지 않으면서 탄소나노튜브 전도막을 형성할 수 있고, 탄소나노튜브 전도막의 전기전도성을 개선할 수 있다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020110083380 (2011.08.22)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1276060-0000 (2013.06.04)
공개번호/일자 10-2013-0021078 (2013.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신권우 대한민국 경기도 화성시
2 한종훈 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에프이엠 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0648113-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073831-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0731239-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0054858-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0054856-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0376767-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
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베이스 기판의 표면을 실라잔 물질로 표면 처리하여 표면 처리막을 형성하는 표면 처리 단계;상기 표면 처리막 위에 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 전도막을 형성하는 코팅 단계; 를 포함하고,상기 표면 처리 단계에서,상기 실라잔 물질은 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane; HMDS)을 포함하고,상기 코팅 단계에서,상기 베이스 기판의 온도를 60℃ 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 실라잔 물질로 표면 처리한 탄소나노튜브 코팅 기판의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 표면 처리 단계 이전에 수행되는,상기 베이스 기판을 산 처리, 염기 처리, 플라즈마 처리 또는 오존 처리를 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실라잔 물질로 표면 처리한 탄소나노튜브 코팅 기판의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 코팅 단계에서,상기 탄소나노튜브 전도막은 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 드롭핑(dropping), 스프레이 코팅(spray coating), 솔루션 케스팅(solution casting), 롤 코팅(roll coating), 그라비아 코팅(gravure coating) 중에 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실라잔 물질로 표면 처리한 탄소나노튜브 코팅 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 전략기술개발사업 고전기열전도성 CNT-고분자 복합재 기반기술 개발