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스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로의 설계방법

  • 기술번호 : KST2014051397
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스핀 논리회로를 위한 스핀 바이폴라 트랜지스터(spin bipolar transistor)의 등가회로의 설계방법에 관한 것으로서, 스핀 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 스핀 논리회로를 구성하고자 할 때 이미 알려진 전자소자로 구성된 등가회로를 이용하여 스핀 논리회로의 설계를 용이하게 할 수 있도록 한 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로의 설계방법에 관한 것이다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G06F 17/5045(2013.01) G06F 17/5045(2013.01)
출원번호/일자 1020030007862 (2003.02.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0506138-0000 (2005.07.27)
공개번호/일자 10-2004-0071941 (2004.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시송파구
2 김성일 대한민국 서울특별시동대문구
3 신경호 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0043470-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0075266-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0029104-85
5 의견서
Written Opinion		 2005.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0120862-86
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0120863-21
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0338139-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강자성체/비자성체/강자성체로 이루어진 이미터/베이스/컬렉터구조의 스핀 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 이미터는, 이미터와 베이스 접촉 부분의 저항성분 및 정전용량을 각각 나타내는 저항_E1 및 커패시터_E1와, 이미터의 주파수 응답 특성을 나타내는 인덕터_E1와, 도선의 기생 저항성분을 나타내는 기생저항_E과, 강자성체의 고유 특성을 나타내는 저항_E2, 커패시터_E2 및 인덕터_E2로 구성되고, 상기 베이스는, 박막 두께에 따른 저항성분을 나타내는 가변저항_B과, 비자성체의 고유저항_B과, 상기 베이스의 가변저항에 따라 변화하는 가변 정전용량을 나타내는 커패시터_B로 구성되고, 상기 컬렉터는, 컬렉터와 베이스 접촉 부분의 저항성분 및 정전용량을 각각 나타내는 저항_C1 및 커패시터_C1와, 컬렉터의 주파수 응답 특성을 나타내는 인덕터_C1와, 도선의 기생 저항성분을 나타내는 기생저항_C과, 강자성체의 고유 특성을 나타내는 저항_C2, 커패시터_C2 및 인덕터_C2로 구성되며, 상기 이미터에서 상기 컬렉터로의 스핀분극 전류의 흐름을 해석하는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로 설계방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 베이스의 가변 저항_B과 고유 저항_B은 직렬 연결되고, 상기 커패시터_B은 상기 직렬 연결된 가변 저항_B 및 고유 저항_B과 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로 설계방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 인덕터_E2과 인덕터_C2의 코일 권선비에 따라 상기 스핀 바이폴라 트랜지스터의 온/오프 동작을 해석하는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로 설계방법
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 상기 스핀 바이폴라 트랜지스터를 직렬로 연결하여 AND 논리회로를 구성하고, 하나 이상의 상기 스핀 바이폴라 트랜지스터를 병렬로 연결하여 OR 논리회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등가회로 설계방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 스핀 바이폴라 트랜지스터에 강자성체의 스핀 방향을 유지할 수 있는 소정 크기 이상의 외부 자계를 가하여 기억소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등기회로 설계방법
6 5
제 1항에 있어서, 상기 스핀 바이폴라 트랜지스터에 강자성체의 스핀 방향을 유지할 수 있는 소정 크기 이상의 외부 자계를 가하여 기억소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 스핀 바이폴라 트랜지스터의 등기회로 설계방법
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