맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＭｏＳｉ₂―Ｓｉ₃Ｎ₄복합피복층 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051414
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금의 모재 표면상의 MoSi2-Si3N4복합피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 상기 모재 표면상의 MoSi2-Si3N4복합피복층은 (1) 상기 모재 표면에 질소를 기상증착하여 Mo2N 확산층을 형성하고, Mo2N 확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 MoSi2-Si3N4복합피복층을 형성하거나, (2) 상기 모재 표면에 화학증착법에 의하여 실리콘을 기상증착하여 MoSi2 확산층을 형성하고, MoSi2 확산층을 고순도 수소 또는 아르곤 분위기하에 열처리하여 Mo5Si3 확산층으로 상변태시키고, Mo5Si3 확산층의 표면에 화학증착법에 의하여 질소를 기상증착하여 Mo2N-Si3N4 복합확산층을 형성하고, Mo2N-Si3N4 복합확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 MoSi2-Si3N4복합피복층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 방법으로 제조된 MoSi2-Si3N4복합피복층은 등축정의 MoSi2 결정입계에 Si3N4입자들이 분포된 조직을 특징으로 하여 (1) 모재의 반복내산화성의 향상, (2) 저온내산화성의 향상, (3) 피복층의 기계적성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파억제을 기할 수 있다.
Int. CL C23C 14/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020013914 (2002.03.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0454715-0000 (2004.10.19)
공개번호/일자 10-2003-0074918 (2003.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20041105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.14)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김재수 대한민국 서울특별시송파구
2 김긍호 대한민국 서울특별시성북구
3 변지영 대한민국 서울특별시용산구
4 윤진국 대한민국 서울특별시노원구
5 김두용 대한민국 서울특별시용산구
6 이종권 대한민국 경기도수원시장안구
7 신종철 대한민국 서울특별시금천구
8 노대호 대한민국 전라북도전주시덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-0075115-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0050516-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0054371-00
5 의견서
Written Opinion		 2004.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0112663-29
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0397177-48
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금 재질의 모재 표면에 피복되며, 등축정의 MoSi2 결정입계에 Si3N4입자들이 분포된 조직을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4 복합피복층

2 2

다음의 각 단계를 포함하는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금의 모재 표면에 피복된 MoSi2-Si3N4 복합피복층의 제조방법

3 3

제 2항에 있어서, 상기 단계 (가)의 모재 표면에 질소를 기상증착하는 방법이 질소(N2) 또는 암모니아(NH3)를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

4 4

제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 단계 (나)의 Mo2N 확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

5 5

제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 단계 (나)의 Mo2N 확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 팩 실리코나이징법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

6 6

다음의 각 단계를 포함하는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금의 모재 표면에 피복된 MoSi2-Si3N4 복합피복층의 제조방법

7 7

제 6항에 있어서, 상기 단계 (다)의 Mo5Si3 확산층의 표면에 질소를 기상증착하는 방법이 질소(N2) 또는 암모니아(NH3)를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

8 8

제 6항에 있어서, 상기 단계 (가)의 모재표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

9 9

제 8항에 있어서, 상기 단계 (다)의 Mo5Si3 확산층의 표면에 질소를 기상증착하는 방법이 질소(N2) 또는 암모니아(NH3)를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

10 10

제 6항에 있어서, 상기 단계 (가)의 모재표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 팩 실리코나이징법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

11 11

제 10항에 있어서, 상기 단계 (다)의 Mo5Si3 확산층의 표면에 질소를 기상증착하는 방법이 질소(N2) 또는 암모니아(NH3)를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

12 12

제 6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (라)의 Mo2N-Si3N4 복합확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하는 화학증착법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

13 13

제 6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (라)의 Mo2N-Si3N4 복합확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하는 방법이 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 팩 실리코나이징법인 것을 특징으로 하는 MoSi2-Si3N4복합피복층의 제조방법

14 14

제 2항 또는 제6항의 MoSi2-Si3N4 복합피복층의 제조방법에 의하여 제조된 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 몰리브덴이 피복된 니오비움 또는 몰리브덴이 피복된 니오비움 합금 재질의 모재 표면에 피복된 MoSi2-Si3N4 복합피복층

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03793157 JP 일본 FAMILY
2 JP15268529 JP 일본 FAMILY
3 US07622152 US 미국 FAMILY
4 US20030175558 US 미국 FAMILY
5 US20060251912 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 FR2837217 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
2 FR2837217 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
3 JP2003268529 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP3793157 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2003175558 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2006251912 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7622152 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.