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금속 이온과 라디칼이온을 기판에 증착시켜 주는 반응 환경을 제공하는 반응 챔버와; 상기 반응 챔버 내에 설치되어 금속 이온 및 라디칼 이온이 증착되는 시료가 장착되는 기판과; 상기 반응 챔버에 연결되어 ECR(Electron Cyclotron Resonance)에 의해 형성된 플라즈마를 공급하는 ECR 시스템과; 상기 반응 챔버에 유기물을 포함하는 물질을 공급하는 유기물 공급 시스템과; 상기 기판에 장착되는 시료에 상기 금속 이온과 라디칼 이온을 유도해 주는 유도 전압 공급 시스템과; 상기 기판 근처에 설치되어 상기 유도 전압 공급 시스템에 의하여 공급되는 전압이 인가되어 금속 이온과 라디칼 이온을 시료에 유도시켜 주는 그리드와; 상기 반응 챔버에 연결되어 내부 진공도를 조절해 주는 진공 시스템을 포함하여, 상기 유기물 공급 시스템을 통하여 유기 금속 전구체를 공급함으로써, 상기 유기 금속 전구체에 포함된 유기물질을 상기 플라즈마에 반응시켜 라디칼 이온을 생성시켜서, 상기 유기 금속 전구체에 포함된 금속 이온과 상기 라디칼 이온을 상기 시료의 표면으로 유도하여 화학 결합시켜서 복합 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제 1항에 있어서, 상기 ECR 시스템은 마이크로웨이브를 생성하는 발진기와; 플라즈마 형성을 위한 가스를 공급해 주는 가스 공급부와; ECR에 의한 플라즈마가 형성되는 공간인 ECR 챔버와; 상기 ECR 챔버에 장착되어 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자석과; 상기 ECR 챔버에 마이크로웨이브를 공급하는 도파관과; 임피던스 매칭을 위하여 상기 ECR 챔버와 발진기 사이의 도파관에 연결되는 임피던스 매칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제 2항에 있어서, 상기 ECR 챔버는 그 내벽에 부착된 불순물에 의한 플라즈마의 오염을 방지하기 위하여 장착되는 석영으로 된 내부 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제 1항에 있어서, 상기 반응 챔버에 금속 이온을 공급하기 위하여 DC 마그네트론 스퍼터와 RF 스퍼터 중에서 선택된 어느 하나로 구성된 스퍼터링 시스템을 더 포함하여 구성되어, 상기 유기물 공급 시스템을 통하여 상기 반응 챔버에 유기 물질을 공급하고, 상기 유기물 공급 시스템에 의하여 공급되는 유기물질이 상기 플라즈마와 반응하여 라디칼 이온이 생성되고, 상기 스퍼터링 시스템에 의하여 공급되는 금속 이온과 상기 라디칼 이온을 상기 시료의 표면으로 유도하여 화학 결합시켜 복합 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제 1항에 있어서, 상기 유도 전압 공급 시스템은 교류 상용 전압을 승압시켜 주는 승압기와; 상기 승압기에 의하여 승압된 교류 전압을 정류하여 배압시켜서 음의 직류 전압을 상기 그리드로 공급해 주는 AC-DC 컨버터로 구성되는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제 1항에 있어서, 상기 진공 시스템은 반응 챔버 내의 압력을 감지하는 압력 센서와; 상기 압력 센서에 의하여 감지된 반응 챔버 내의 압력을 적정 압력으로 제어하기 위하여 상기 진공 시스템을 제어하는 압력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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ECR 특성에 의하여 플라즈마를 형성하는 ECR 시스템을 이용한 상온 화학 증착 시스템에 의한 복합 금속막 제조 방법에 있어서, 반응이 이루어지는 챔버 내에 ECR 특성을 이용하여 가스를 플라즈마로 형성하여 공급하는 단계와; 금속 이온과 유기 물질을 상기 챔버에 공급하는 단계와; 상기 유기 물질이 상기 플라즈마와 반응하여 라디칼 이온이 생성되는 단계와; 상기 금속 이온과 상기 라디칼 이온을 상기 시료의 표면으로 유도하여 화학 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 유기 물질은 기체 상태의 탄화수소와 액체 상태의 탄화수소 중에서 선택된 한 종류인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 기체 상태의 탄화수소는 메탄, 에탄, 프로판, 부탄 중에서 선택된 하나이며, 상기 액체 상태의 탄화수소는 핵산, 벤젠 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 금속 이온 및 유기물질 공급은 유기 금속 화합물 전구체를 공급함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 유기 금속 화합물 전구체는 Li(acetate), (CH3)3Al, (C2H5)3Al, (C4H9)3Al, (CH3)3Bi, (C2H5)3Sb, (C3H7)3Sb, Ag(trifluoroacetate), Ag(acetate), (C2H5O)4Si, (C2H5)3SiH, (CH3)4Sn, (C2H5)4Sn, Cu(hfac)2, Cu(acac), Cu(DPM), (hfac)Cu(I)MP, (Hfac)Cu(I)(DMB), (COD)Pt(CH3)2, Pt(CH3)2(CH3NC)2, Pd(allyl)2, Ni(C5H5)2, Ni(CO)4, Pt(hfac)2 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 금속 이온 및 유기물질 공급은 금속을 스퍼터링시켜서 금속 이온으로 변환하여 공급하고, 유기 물질은 가스와 액체 상태의 유기 물질 중에서 선택된 어느 한 종류의 유기 물질을 선택하여 공급하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 8∼13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 이온과 라디칼 이온이 코팅되는 시료는 고분자 수지, 금속, 세라믹, 종이, 섬유 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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제 8∼13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 이온과 라디칼 이온에 의하여 형성된 시료의 금속막 표면비저항이 10-1∼108Ω 범위인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템을 이용한 복합 금속막 제조 방법
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