1 |
1
유연기판 상부에 코팅된 투명전극;상기 투명전극 상부에 구비되는 비전도성인 이온성 고분자 박막; 및상기 이온성 고분자 박막 상부에 구비되고, 광감응 염료가 흡착된 다공성 금속산화물 전극층을 포함하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 유연기판은 PET(Poly Ethylene Terephalate), PEN(Poly Ethylene Naphthelate), PC(Poly Carbonate), PP(Poly Propylene), PI(Poly Imide) 및 TAC(Tri Acetyl Cellulose)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 비전도성인 이온성 고분자 박막의 두께는 1 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자 박막은 비전도성인 양이온성 고분자 및 비전도성인 음이온성 고분자를 자기조립(self assembly)시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 비전도성인 양이온성 고분자는 폴리아릴아민 하이드로클로라이드(poly-allyamine hydrochloride, PAH), 폴리아크릴아미드(Polyacrylamide), 폴리부틸피리디늄(Poly-N-n-butyl pyridinium), PARG(poly-L-arginine) 및 PLL(poly-L-lysine)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
6 |
6
제4항에 있어서, 상기 비전도성인 음이온성 고분자는 폴리(소디움 4-스티렌 설포네이트)(Poly(sodium 4-styrene sulfonate), PSS), 폴리-4-스티렌설폰산(poly-4-styrene sulfonic acid
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 비전도성인 이온성 고분자 박막은 비전도성인 이온성 고분자와 금속산화물 나노입자를 자기조립(self assembly)시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 금속산화물은 티타늄(Ti) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 나이오븀(Nb) 산화물, 이트륨(Y) 산화물, 세륨(Ce) 산화물, 스트론튬 티탄(SrTi) 산화물, 란탄(La) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
9 |
9
제7항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자의 평균입경은 1 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
10 |
10
제1항에 있어서, 상기 다공성 금속산화물 전극층은 티탄산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극
|
11 |
11
투명전극 상부에 비전도성인 이온성 고분자 박막을 형성시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 형성된 이온성 고분자 박막 상부로 다공성 금속산화물 전극층을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 형성된 다공성 금속산화물 전극층을 저온열처리하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 열처리된 다공성 금속산화물 전극층으로 염료를 흡착시키는 단계(단계 4)를 포함하는 제1항에 따른 이온성 고분자를 이용한 염료감응형 태양전지의 광전극 제조방법
|
12 |
12
제11항에 있어서, 상기 단계 1의 이온성 고분자 박막은 비전도성인 양이온성 고분자와 비전도성인 음이온성 고분자를 각각 코팅한 후 자기조립시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 염료감응형 태양전지의 광전극 제조방법
|
13 |
13
제11항에 있어서, 상기 단계 1의 이온성 고분자 박막은 비전도성인 이온성 고분자와 금속산화물 나노입자를 자기조립시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 염료감응형 태양전지의 광전극 제조방법
|
14 |
14
제11항에 있어서, 상기 단계 2의 다공성 금속산화물 전극층은 티탄산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극 제조방법
|
15 |
15
제11항에 있어서, 상기 단계 3의 저온열처리는 100 내지 200 ℃의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 광전극 제조방법
|
16 |
16
제1항에 따른 광전극,상대전극 및상기 광전극 및 상대전극 사이에 구비되는 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지
|