| 1 |
1
a) 한 쌍의 지지대 사이에 반응층을 포함하는 하부기판을 제공하는 단계와;
b) 적어도 하나의 돌출로드를 포함하는 상부기판을 제공하는 단계 및
c) 상기 반응층에 상기 돌출로드가 삽입되도록 상기 상부기판과 하부기판을 압착하여 결합하는 단계를 포함하되,
상기 하부기판은
a-1) 유리기판의 상부 일측면에 일정두께의 투명전극을 증착하는 과정과;
a-2) 상기 투명전극의 일측면에 상기 돌출로드의 길이와 같거나 큰 높이를 갖는 지지대를 형성하는 과정 및
a-3) 외부로부터 빛을 받아 상기 한 쌍의 지지대 사이에 자유전자와 정공을 생성 및 분리하는 광반응층을 형성하는 과정을 포함하며,
과정 a-3) 이전에,
상기 투명전극 상부에 상기 자유전자보다 낮은 이동도(Mobility)를 갖는 정공의 이동도를 보정하는 정공이동층을 형성하는 과정을 더 포함함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 정공이동층은 PEDOT (Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene)) 임을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 상부기판은,
b-1) 도전성기판의 일측면에 일정두께의 산화층을 형성하는 과정과;
b-2) 상기 산화층에 상기 도전성기판의 표면을 외부로 노출시키는 일정깊이의 홀을 형성하는 과정과;
b-3) 상기 홀에 도전성 금속재를 충진하는 과정 및
b-4) 상기 도전성기판의 일측면에 형성된 산화층을 제거하여 돌출로드를 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,
상기 광반응층은 무기반도체재료 및 고분자화합물 중 적어도 하나를 포함함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,
상기 무기반도체재료는 카드뮴 셀레나이드(CdSe: Cadminum Selenide)임을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,
상기 고분자화합물은 폴리티온펜 유도체 (P3HT)임을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하부기판은 인-주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide)을 사용하여 형성함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지대는 감광재인 SU-8을 사용하여 지지대를 형성함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제1항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단계 c)는,
자외선에 노출될 시 접착력을 갖는 레진(Resin)을 상기 상부기판과 하부기판에 도포하고, 상기 압착단계 시, 상기 상부기판과 하부기판을 자외선에 노출함을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
