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굴곡이 형성된 반사층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052443
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 추출 효율 및 영 방출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 투명 전극층에 굴곡을 형성하고 그 위에 투명 전극층에 형성된 굴곡이 전사된 반사층을 추가로 형성함으로써, 활성층에서 발생한 광이 p형 질화물층 및 투명 전극층을 통과하여 반사층으로 유입되고, 굴곡이 형성된 반사층 표면에서 반사되어 종래의 발광 소자에 비하여 수직 방향으로 더 많은 광을 추출할 수 있어 광 추출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 열 전도도가 높은 반사층이 투명 전극층 외부에 형성됨으로써 보다 열 방출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다.
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/20 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080046383 (2008.05.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0980649-0000 (2010.09.01)
공개번호/일자 10-2009-0120532 (2009.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이완호 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)
2 이재광 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0354415-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0003073-15
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0114068-03
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0103704-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0298681-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0298709-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0378442-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
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2 2
삭제
3 3
(a) 기판위에 광을 발생시키는 발광층을 형성하는 단계; (b1) 상기 발광층에 구형의 입자들을 배치하는 단계; (b2) 상기 구형의 입자들 사이에 Sol-Gel 방식으로 투명 전극층 형성 물질을 채우고, 상기 투명 전극층 형성 물질을 결정화시키는 단계; (b3) 상기 입자들을 제거하는 단계; 및 (c) 상면에 굴곡이 형성된 상기 투명 전극층위에 상기 굴곡이 전사되도록 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 (b1) 단계는 상기 입자들이 포함된 용액을 상기 발광층위에 도포하고, 상기 용액의 용매를 증발시켜 상기 입자들을 상기 발광층위에 오팔(opal) 구조로 배치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 상기 투명 전극층 형성 물질을 상기 입자 크기의 절반까지 채운후 결정화하고, 상기 (b3) 단계는 상기 입자를 구성하는 재질에 따라서 BOE 에칭 공정 또는 버닝(Burning) 공정을 수행하여 상기 입자들을 제거하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 입자들은 라텍스 계열의 재료 또는 실리카 계열의 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
7 7
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8 8
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