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반응 공간을 제공하는 챔버와,상기 챔버의 일측에 설치된 타겟과,상기 타겟에 대향되게 설치된 기판지지대와,상기 타겟에 전원을 공급하는 전원부와,상기 타겟과 기판지지대의 사이에 설치되어 추가로 음의 전압을 인가하는 부가전극을 포함하고,상기 부가전극의 일부 또는 전부에는 상기 타겟으로부터 떨어져나온 타겟 입자가 통과할 수 있도록 다수의 홀로 이루어진 메시부가 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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제 1 항에 있어서,상기 부가전극은 판상으로 이루어지고, 그 중심부에 상기 메시부가 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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제 2 항에 있어서,상기 판상의 외주부에서는 상기 타겟을 커버할 수 있도록 플랜지부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 부가전극에 가해지는 음의 전압은 상기 메시부 또는 메시부를 포함하는 전체에 인가되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 부가전극은 스퍼터링 일드(sputtering yield)가 낮은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 부가전극은 C, Si, V, Y, Er, Co, Ni, Mo, Ta, W, Ti 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 홀의 단면 직경은 상기 타겟에서 기판지지대 방향으로 갈수록 넓어지게 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 홀의 직경은 플라즈마를 형성하는 이온이 통과하기 어렵게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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9
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 타겟과 기판지지대는 상기 챔버의 좌,우측에 수평으로 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메시부의 홀의 단면 직경은 기판지지대 방향으로 갈수록 연속적으로 넓어지도록 테이퍼 가공된 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치
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반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 일측에 설치된 타겟과, 상기 타겟에 대향되게 설치된 기판지지대와, 상기 타겟에 전원을 공급하는 전원부와, 상기 타겟과 기판지지대의 사이에 설치되어 추가로 음의 전압을 인가하는 부가전극을 포함하고, 상기 부가전극의 일부 또는 전부에는 상기 타겟으로부터 떨어져나온 타겟 입자가 통과할 수 있도록 다수의 홀로 이루어진 메시부가 형성되어 있는 스퍼터 장치를 이용한 스퍼터링 방법으로서, 상기 기판지지대 상에 기판을 장착하는 단계,상기 전원부에서 전원을 인가하는 단계 및상기 부가전극에 -50V ~ -200V의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 스퍼터링 방법
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