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반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149474
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것으로서, 구리분말과 마그네슘 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 혼합하여 충진하는 단계와, 구리와 마그네슘 분말이 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버 내에 장착하는 단계와, 챔버 내부를 진공화하는 단계와, 몰드 내의 구리와 마그네슘 분말에 설정된 제1압력을 유지하면서 설정된 승온패턴에 따라 승온시키면서 최종 목표온도에 도달할 때까지 승온시키는 단계와, 라 단계의 최종 목표온도에서 1 내지 10분 더 유지하는 유지단계와, 제1압력보다 낮게 설정된 제2압력이 되게 감압하여 챔버 내부를 냉각하는 냉각단계를 포함한다. 이러한 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법에 의하면, 방전 플라즈마 소결 공정을 이용하여 스퍼터링 타겟에 적합하게 소결체 제조시 고밀도화가 가능하고 단일 공정으로 짧은 시간에 입자 성장이 거의 없는 균질한 조직 및 고순도의 소결체를 제조할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL B22F 3/10 (2006.01) C22C 9/00 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01)
CPC B22F 3/10(2013.01) B22F 3/10(2013.01) B22F 3/10(2013.01)
출원번호/일자 1020140046899 (2014.04.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0121377 (2015.10.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오익현 대한민국 광주광역시 북구
2 박현국 대한민국 광주광역시 북구
3 장준호 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0373313-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0002643-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0560893-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1011301-30
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1011233-23
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0076239-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0276750-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0276758-84
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0538404-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
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제3항에 있어서, 상기 몰드 내에 전계를 인가하기 위한 상기 챔버 내의 상부전극과 상기 몰드 내에 상방향에서 진입되는 상부 펀치 사이에는 그라파이트 소재로 된 복수 개의 상부 스페이서가 상기 상부 펀치를 향할수록 외경이 작게 형성된 것이 적용되고, 상기 챔버 내의 하부전극과 상기 몰드 내에 하방향에서 진입되는 하부 펀치 사이에는 그라파이트 소재로 된 복수 개의 하부 스페이서가 상기 하부 펀치를 향할수록 외경이 작게 형성되어 있고,상기 상부 스페이서는 상기 상부전극으로부터 상기 상부 펀치 방향으로 원형상으로 형성된 제1상부 스페이서와, 제2 상부 스페이서 및 제3상부 스페이서가 마련되어 있고, 상기 하부 스페이서는 상기 챔버 내의 하부전극으로부터 몰드 방향으로 원형상으로 형성된 제1하부 스페이서와, 제2 하부 스페이서 및 제3하부 스페이서가 마련되어 있으며, 상기 제1 상부 스페이서 및 상기 제1하부 스페이서는 직경이 350mm, 두께가 30mm이고, 상기 제2 상부 스페이서 및 상기 제2하부 스페이서는 직경이 300mm, 두께가 60mm이고, 상기 제3 상부 스페이서 및 상기 제3하부 스페이서는 직경이 200 내지 250mm, 두께가 15 내지 30mm인 것이 적용된 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 다 단계는 상기 구리와 마그네슘 분말의 산화 및 가스나 불순물로 인한 제2상의 형성을 억제하기 위하여 1X100 Pa 내지 1X10-3 Pa 로 상기 챔버 내부를 진공화하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2압력은 10MPa를 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Cu-Mg 스퍼터링 타겟 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국생산기술연구원 산업소재원천기술개발 신 성형공법을 이용한 IT/ET 융합형 스퍼터링 타겟 제조공정 기술개발