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사파이어 기판;
상기 사파이어 기판상에 상기 기판 상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 순으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 p형 반도체층이 식각되어 n형 반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물;
상기 n형 반도체층의 노출된 영역에 형성되는 n형 제1전극 및 p형 반도체층 상에 형성되는 그리드 패턴(grid pattern)의 p형 제1전극;
상기 n형 제1전극이 형성되지 않은 n형 반도체층의 노출된 영역, 상기 식각된 활성층 및 p형 반도체층의 측면영역과 상기 p형 제1전극이 형성되지 않은 p형 반도체층상에 형성되는 제 1패시베이션(passivation)층;
상기 제 1패시베이션층 상에 형성되고, 상기 n형 제 1전극 및 p형 제 1전극과 전기적으로 연결되는 n형 제 2전극 및 p형 제 2전극; 및
상기 제 1패시베이션층, n형 제 2전극 및 p형 제 2전극 상에 형성되는 제 2패시베이션(passivation)층;
을 포함하는 발광소자(Light Emitting Diode) 단위모듈
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제 1항에 있어서,
상기 p형 반도체층과 제 1패시베이션층 사이에 형성되는 금속반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈
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3
제 1항에 있어서,
상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층은 각각 질화물 화합물계 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈
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4
제 1항에 있어서,
상기 제 1패시베이션층은 폴리미드, 에폭시 수지 및 SOG로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈
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5
제 1항에 있어서,
상기 제 2패시베이션층은 글래스(glass) 또는 세라믹(ceramic) 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈
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6
제 1항의 발광소자 단위모듈;
상기 n형 제 2전극 및 p 형 제 2전극 상에 형성되어 전기적으로 연결되는 솔더볼; 및
상기 솔더볼과 결합되는 서브마운트(submount) 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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7
제 6항에 있어서,
상기 서브마운트 기판은 인쇄회로기판(PCB) 또는 비아홀(via hole) 방식의 세라믹 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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8
제 6항에 있어서,
상기 서브마운트 기판과 발광소자 단위모듈을 몰딩(molding)한 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 발광소자 단위모듈; 또는
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지;를 이용하여 구성되는 조명기구
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10
사파이어 기판위에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 증착하는 단계;
상기 n형 반도체층이 노출될 수 있도록 상기 활성층 및 p형 반도체층의 소정영역을 식각하는 단계;
상기 p형 반도체층 상에 그리드 패턴의 p형 제1전극을 형성하고, 상기 n형 반도체층의 노출된 영역에 n형 제1전극을 형성하는 단계;
상기 n형 제 1전극이 형성되지 않은 n형 반도체층의 노출된 영역, 상기 식각된 활성층 및 p형 반도체층의 측면영역과 상기 p형 제 1전극이 형성되지 않은 p형 반도체층 상부에 제 1패시베이션층을 형성하는 단계;
상기 제 1패시베이션층 상에 형성되고, 상기 n형 제 1전극 및 p형 제 1전극과 전기적으로 연결되는 n형 제 2전극 및 p형 제 2전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 패시베이션층 , 상기 n형 제2전극 및 p형 제2전극상에 제 2패시베이션층을 형성하는 단계;
를 포함하는 발광소자 단위모듈의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 p형 반도체층과 제 1패시베이션층 사이에 금속반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층은 각각 질화물 화합물계 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 제 1패시베이션층은 폴리미드, 에폭시 수지 및 SOG로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 제 2패시베이션층은 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 단위모듈의 제조방법
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제 10항의 발광소자 단위모듈을 제조하는 단계;
상기 n형 제 2전극 및 p 형 제 2전극 상에 솔더볼을 형성하는 단계; 및
상기 솔더볼과 서브마운트 기판을 결합하는 단계;
를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법
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제 15항에 있어서,
상기 서브마운트 기판은 인쇄회로기판 또는 비아홀 방식의 세라믹 기판을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법
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제 15항에 있어서,
상기 서브마운트 기판과 발광소자 단위모듈을 몰딩하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법
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