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보호막 구조 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014053973
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 보호막 구조 형성 방법은, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 전자 소자에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함할 수 있다. 유기전자소자, 보호막, 유무기 복합층
Int. CL H05B 33/04 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5256(2013.01) H01L 51/5256(2013.01) H01L 51/5256(2013.01)
출원번호/일자 1020090119977 (2009.12.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1095022-0000 (2011.12.09)
공개번호/일자 10-2011-0063046 (2011.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20111220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.04)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재경 대한민국 서울특별시 마포구
2 김경곤 대한민국 충청북도 충주시
3 박정수 대한민국 서울특별시 성동구
4 나대석 대한민국 대구 중구
5 최준환 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 김유미 부산광역시 사하구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0751269-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002573-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0168822-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0400130-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0492127-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0492134-32
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0505133-92
10 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0710540-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
보호막 구조 형성 방법에 있어서, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 유기 전자 소자에 부착하는 단계를 포함하고, 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 유기고분자계 플라스틱필름인, 보호막 구조 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 접착층은, 유기 접착제, 무기접착제 또는 유기 접착제와 무기접착제의 혼합물인, 보호막 구조 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 접착층은, 광 경화 접착제, 열 경화 접착제, 수분 경화 접착제 또는 혐기성 접착제를 포함하는, 보호막 구조 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 접착층의 두께는 1um 내지 10um인, 보호막 구조 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 보호막 구조는, 상기 기판, 상기 접착층 및 상기 보호층의 광투과도가 90% 이상이 되도록 형성되는, 보호막 구조 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 무기보호층은 금속 산화물 또는 비금속 산화물, 질화물 및 염 중에서 선택되는 두 가지 이상을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 무기보호층은 전자선 증착기, 스퍼터(sputter), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착법(chemiacl vapor deposition, CVD), 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 증착되는, 보호막 구조 형성 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 유기보호층은, 유기 나노 재료와 무기 나노 재료의 혼합물 및 혼합 무기물을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 유기보호층은 0
11 11
제1항에 있어서, 상기 보호층은 10nm 내지 150um의 두께를 갖는, 보호막 구조 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.