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소수성의 특성을 가진 고분자전해질막;상기 고분자전해질막의 일 면에 형성된 촉매전극층; 및상기 고분자전해질막을 중심으로 상기 촉매전극층에 대향하는 타 면에 형성된 전극을 포함하고,상기 촉매전극층은 탄소나노튜브에 금속나노입자가 부착된 금속나노입자-탄소나노튜브의 구조를 가지고,상기 전극들은 서로 분리된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전극들은 환원제를 상기 고분자전해질막으로 통과시켜 상기 고분자전해질막 표면에서의 금속의 환원반응에 의해 생성되거나, 금속전구체가 침투된 상기 고분자전해질막에 상기 환원제를 도입한 환원반응에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서
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제12항에 있어서, 상기 금속나노입자는 금 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서
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고분자전해질막 상에 금속재질의 전극을 형성하는 제1 단계;상기 전극의 상부에 보호막을 도입하고, 상기 전극과 대향하는 상기 고분자전해질막의 일 면에 촉매전극층이 형성된 데칼기판을 정렬하는 제2 단계; 및상기 제2 단계의 구조물에 압력을 가하여 상기 고분자전해질막의 일 면에는 상기 촉매전극층을 부착하고, 이에 대향하는 면에는 상기 전극을 잔류시키는 제3 단계를 포함하고,상기 촉매전극층은 탄소나노튜브의 표면에 금속나노입자가 부착된 금속나노입자-탄소나노튜브 구조를 포함하고,상기 전극들의 형성은 환원제를 상기 고분자전해질막으로 통과시켜 상기 고분자전해질막 표면에서의 금속의 환원반응에 의해 생성되거나, 금속전구체가 침투된 상기 고분자전해질막에 상기 환원제를 도입한 환원반응에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 촉매전극층이 형성된 데칼기판은, 상기 금속나노입자-탄소나노튜브 구조를 형성하는 단계; 및상기 데칼기판을 여과지로 이용하여 상기 데칼기판 상에 금속나노입자-탄소나노튜브를 잔류시켜 상기 촉매전극층을 형성하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 금속나노입자-탄소나노튜브 구조를 형성하는 단계는,상기 탄소나노튜브에 강산을 도입하여 상기 탄소나노튜브의 표면에 하이드록시 그룹을 생성시켜서 활성화시키는 단계; 및상기 활성화된 탄소나노튜브를 금속전구체와 환원제가 포함된 용액에 도입하여 상기 금속전구체를 환원시키고, 상기 탄소나노튜브 표면에 상기 금속나노입자를 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 단계는,상기 고분자전해질막의 일 측면에 금속전구체 용액을 준비하고, 이와 대향하는 타 측면에는 상기 환원제를 준비하는 단계; 및상기 환원체를 상기 고분자전해질막으로 통과시켜 상기 고분자전해질막 표면에서의 금속의 환원에 의해 상기 금속재질의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학식 센서의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제1 단계는,상기 고분자전해질막을 금속전구체 용액에 침지시켜, 양이온 치환을 통해 금속전구체를 상기 고분자전해질막으로 침투시키는 단계; 및상기 금속전구체가 침투된 고분자전해질막에 상기 환원제를 도입하여, 상기 고분자전해질막 표면에 상기 금속재질의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전기화학식 센서의 제조방법
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