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정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법
- 기술번호 : KST2014055857
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 증류수 또는 유기 용매에 구리산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자의 복합체(composite) 용액을 제공하는 단계; 상기 게이트 절연막으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 ㎜떨어진 지점에서 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 용액을 적하하여 상기 게이트 절연막 상에 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 나노와이어를 정렬하는 단계; 상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 나노와이어를 가열하여 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어 패턴 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 및 상기 제조 방법에 따라 제조되는 전계효과 트랜지스터 어레이를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130017180 (2013.02.18) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1473693-0000 (2014.12.11) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0103602 (2014.08.27) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141218) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.02.18) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이태우 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 2 | 이영준 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 유미특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0144673-81 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.12.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0005448-31 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0111301-31 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2014.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-5012407-19 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0368878-65 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0466907-78 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.05.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0466908-13 |
| 11 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0644099-58 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2014.10.23 | 수리 (Accepted) | 7-1-2014-0040191-00 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.11.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1136188-74 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2014.11.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1136189-19 |
| 15 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2014.12.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0839803-13 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;증류수 또는 유기 용매에 구리산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체(composite) 용액을 제공하는 단계; 상기 게이트 절연막으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 ㎜ 떨어진 지점에서 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 적하하여 상기 게이트 절연막 상에 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 정렬하는 단계;상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 가열하여 유기 고분자를 열분해하여 제거하고 구리산화물 반도체성 전구체를 구리산화물 반도체로 변환시킴으로써 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어 패턴 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 바텀-게이트 구조의 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법으로서,상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 제공하는 단계는, 구리산화물 반도체성 전구체와 유기 고분자를 25:10 내지 90:10의 중량비로, 증류수 또는 유기 용매에 3 내지 31 중량%의 농도가 되도록 용해하는 단계를 포함하며,상기 구리산화물 반도체성 전구체는 구리트리플로로아세테이트(Copper trifluoroacetate), 아세트산구리수화물 (Copper acetate hydrate), 구리아세틸아세토네이트 (Copper acetylacetonate), 구리아이소부티레이트 (Copper i-butyrate), 탄산구리 (Copper carbonate), 염화구리 (Copper chloride), 염화구리수화물 (Copper chloride hydrate), 구리에틸아세토아세테이트 (Copper ethylacetoacetate), 구리2-에틸헥사노에이트 (Copper 2-ethylhexanoate), 불화구리 (Copper fluoride), 포름산구리수화물 (Copper formate hydrate), 구리글루코네이트 (Copper gluconate), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트 (Copper hexafluoroacetylacetonate), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트수화물 (Copper hexafluoroacetylacetonate hydrate), 구리메톡사이드 (Copper methoxide), 구리네오데카노에이트 (Copper neodecanoate), 질산구리수화물 (Copper nitrate hydrate), 질산구리 (Copper nitrate), 과염소산구리수화물 (Copper perchlorate hydrate), 황산구리 (Copper sulfate), 황산구리수화물 (Copper sulfate hydrate), 주석산구리수화물 (Copper tartrate hydrate), 구리트리플로로아세틸아세토네이트 (Copper trifluoroacetylacetonate), 구리트리플로로메탄설포네이트 (Copper trifluoromethanesulfonate), 테트라아민구리황산염수화물 (Tetraamminecopper sulfate hydrate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인,바텀-게이트 구조의 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 2 |
2 기판 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;증류수 또는 유기 용매에 구리산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 제공하는 단계;상기 소스/드레인 전극으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 ㎜ 떨어진 지점에서 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 적하하여 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 정렬하는 단계;상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체(composite) 나노와이어를 가열하여 유기 고분자를 열분해하여 제거하고 구리산화물 반도체성 전구체를 구리산화물 반도체로 변환시킴으로써 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어의 패턴을 형성하는 단계; 상기 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어 패턴 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 탑-게이트 구조의 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법으로서,상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 제공하는 단계는, 구리산화물 반도체성 전구체와 유기 고분자를 25:10 내지 90:10의 중량비로, 증류수 또는 유기 용매에 3 내지 31 중량%의 농도가 되도록 용해하는 단계를 포함하며,상기 구리산화물 반도체성 전구체는 구리트리플로로아세테이트(Copper trifluoroacetate), 아세트산구리수화물 (Copper acetate hydrate), 구리아세틸아세토네이트 (Copper acetylacetonate), 구리아이소부티레이트 (Copper i-butyrate), 탄산구리 (Copper carbonate), 염화구리 (Copper chloride), 염화구리수화물 (Copper chloride hydrate), 구리에틸아세토아세테이트 (Copper ethylacetoacetate), 구리2-에틸헥사노에이트 (Copper 2-ethylhexanoate), 불화구리 (Copper fluoride), 포름산구리수화물 (Copper formate hydrate), 구리글루코네이트 (Copper gluconate), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트 (Copper hexafluoroacetylacetonate), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트수화물 (Copper hexafluoroacetylacetonate hydrate), 구리메톡사이드 (Copper methoxide), 구리네오데카노에이트 (Copper neodecanoate), 질산구리수화물 (Copper nitrate hydrate), 질산구리 (Copper nitrate), 과염소산구리수화물 (Copper perchlorate hydrate), 황산구리 (Copper sulfate), 황산구리수화물 (Copper sulfate hydrate), 주석산구리수화물 (Copper tartrate hydrate), 구리트리플로로아세틸아세토네이트 (Copper trifluoroacetylacetonate), 구리트리플로로메탄설포네이트 (Copper trifluoromethanesulfonate), 테트라아민구리황산염수화물 (Tetraamminecopper sulfate hydrate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인,탑-게이트 구조의 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어 패턴을 형성하는 단계는 100 ℃ 내지 900 ℃의 온도 하에서, 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 1 내지 24 시간의 동안 가열하는 것을 포함하는 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 정렬하는 단계는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터에 의하여 실시되며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터는 i) 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 수용하는 용액 저장 장치;ii) 상기 용액 저장 장치로부터 공급받은 용액을 토출하는 노즐 장치;iii) 상기 노즐에 고전압을 인가하는 전압 인가 장치;iv) 상기 기판을 고정하는 콜렉터;v) 상기 콜렉터를 수평 방향으로 이동시키는 로봇 스테이지;vi) 상기 콜렉터를 수직방향으로 이동시키는 마이크로 거리 조절기; 및vii) 상기 콜렉터를 지지(support)하는 석정반을 포함하는 것인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 나노와이어를 정렬하는 단계는i) 상기 용액 저장 장치에 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 공급하는 단계; ii) 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 전압 인가 장치를 통하여 상기 노즐에 고전압을 인가하면서 상기 노즐로부터 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 토출시키는 단계를 포함하며, 상기 노즐로부터 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액이 토출될 때, 기판이 놓여진 콜렉터를 수평방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 6 |
6 제 4항에 있어서,상기 콜렉터와 노즐의 수직 거리가 10 ㎛ 내지 20 ㎜인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 절연 재료, 금속 재료, 탄소 재료, 및 전도체와 절연막의 복합 재료 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 및 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는, 각각 독립적으로, 드롭 캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 열증착(thermal evaporation), 프린팅(printing), 소프트리쏘그래피(soft-lithography) 및 스퍼터링(sputtering)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 실시되는 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 소스/드레인 전극은, 각각 독립적으로, 금속, 전도성 고분자, 탄소 재료, 도핑된 반도체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 10 |
10 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극의 두께는 1 nm 내지 1 ㎛인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 카르복시기(-COOH), 하이드록실기(-OH), 티올기(-SH), 및 트리클로로실란기(-SiCl3)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 관능기를 포함하는 자기 조립분자, 절연성 고분자, 무기 산화물, 고분자 전해질 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 두께는 1 nm 내지 10 ㎛인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극의 두께는 1 nm 내지 1 ㎛ 인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 14 |
14 삭제 |
| 15 |
15 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기 고분자는 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리스티렌(PS), 폴리카프로락톤(PCL), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 폴리이미드, 폴리(비닐리덴 플루오라이드)(PVDF), 폴리아닐린(PANI), 폴리비닐클로라이드(PVC), 나일론, 폴리(아크릴산), 폴리(클로로 스티렌), 폴리(디메틸 실록산), 폴리(에테르 이미드), 폴리(에테르 술폰), 폴리(알킬 아크릴레이트), 폴리(에틸 아크릴레이트), 폴리(에틸 비닐 아세테이트), 폴리(에틸-co-비닐 아세테이트), 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(락트산-co-글리콜산), 폴리(메타크릴산)염, 폴리(메틸 스티렌), 폴리(스티렌 술폰산)염, 폴리(스티렌 술포닐 플루오라이드), 폴리(스티렌-co-아크릴로니트릴), 폴리(스티렌-co-부타디엔), 폴리(스티렌-co-디비닐 벤젠), 폴리(비닐 아세테이트), 폴리락타이드, 폴리(비닐 알콜), 폴리아크릴아미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보네이트, 폴리(디메틸실록산-co-폴리에틸렌옥사이드), 폴리(에테르에테르케톤), 폴리에틸렌, 폴리에틸렌이민, 폴리이소프렌, 폴리락타이드, 폴리프로필렌, 폴리술폰, 폴리우레탄, 폴리(비닐피로리돈), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
| 16 |
16 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기 용매는 다이클로로에틸렌, 트라이클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 다이클로로메탄, 스티렌, 다이메틸포름아마이드, 다이메틸설폭사이드, 테트라하이드로퓨란, 자일렌, 톨루엔, 사이클로헥센, 2-메톡시에탄올, 에탄올아민, 아세토니트릴, 부틸알콜, 이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올, 및 아세톤 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 구리산화물 반도체 나노와이어 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 패밀리정보가 없습니다 |
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
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- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1473693-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130218 출원 번호 : 1020130017180 공고 연월일 : 20141218 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141206 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20181212 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2014년 12월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 290,080 원 | 2018년 03월 22일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0144673-81 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.12.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2014.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0005448-31 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2014.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0111301-31 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 | 2014.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-5012407-19 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0368878-65 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0466907-78 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.05.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0466908-13 |
| 11 | 거절결정서 | 2014.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0644099-58 |
| 12 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.10.23 | 수리 (Accepted) | 7-1-2014-0040191-00 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.11.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1136188-74 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2014.11.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1136189-19 |
| 15 | 등록결정서 | 2014.12.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0839803-13 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술번호 | KST2014055857 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술명 | 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 |
| 기술개요 |
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 증류수 또는 유기 용매에 구리산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자의 복합체(composite) 용액을 제공하는 단계; 상기 게이트 절연막으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 ㎜떨어진 지점에서 상기 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 용액을 적하하여 상기 게이트 절연막 상에 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 나노와이어를 정렬하는 단계; 상기 정렬된 구리산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 나노와이어를 가열하여 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어 패턴 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 및 상기 제조 방법에 따라 제조되는 전계효과 트랜지스터 어레이를 제공한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | ㅡ |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | ㅡ |
| 도입시고려사항 | ㅡ |
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415131572 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10041041 |
| 연구과제명 | TFT 백플레인을 위한 비진공, 비노광 5㎛급 Cu interconnect 기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201112~201602 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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