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혼성 삼각 나노채널을 갖는 이온 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014055893
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른 이온 전계효과 트랜지스터는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 제1 유로와 제1 유로에서 이격 배치된 제2 유로가 형성된 폴리머층, 및 상기 기판과 상기 폴리머층 사이에 형성되며, 상기 제1 유로와 상기 제2 유로에 닿아 있는 게이트 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극과 상기 폴리머층 사이에는 상기 제1 유로와 상기 제2 유로를 연결하는 혼성 삼각 나노채널이 형성된다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC G01N 27/4146(2013.01) G01N 27/4146(2013.01) G01N 27/4146(2013.01)
출원번호/일자 1020130019382 (2013.02.22)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1367223-0000 (2014.02.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임근배 대한민국 경북 포항시 북구
2 김성재 대한민국 서울 관악구
3 김범주 대한민국 경북 포항시 남구
4 허준성 대한민국 인천 부평구
5 권혁진 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163173-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012346-47
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0105304-82
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되며, 제1 유로와 제1 유로에서 이격 배치된 제2 유로가 형성된 폴리머층; 및상기 기판과 상기 폴리머층 사이에 형성되며, 상기 제1 유로와 상기 제2 유로에 닿아 있는 게이트 전극;을 포함하고,상기 게이트 전극과 상기 폴리머층 사이에는 상기 제1 유로와 상기 제2 유로를 연결하는 혼성 삼각 나노채널이 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 기판 상에서 상기 기판과 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 절연막을 더 포함하고, 상기 혼성 삼각 나노채널은 상기 절연막과 상기 폴리머층의 경계면에 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 폴리머층에는 상기 제1 유로의 일측 단부와 연결된 제1 유체 주입구와 상기 제1 유로의 타측 단부와 연결된 제1 전극입구가 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 폴리머층에는 상기 제2 유로의 일측 단부와 연결된 제2 유체 주입구와 상기 제2 유로의 타측 단부와 연결된 제2 전극입구가 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 유로 및 상기 제2 유로는 상기 폴리머층에서 상기 기판을 향하는 면에 홈 형태로 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
6 6
제2항에 있어서,상기 혼성 삼각 나노채널은 상기 기판의 상면을 덮는 절연막과 상기 게이트 전극의 측면을 덮도록 돌출된 절연막, 및 돌출된 절연막에서 기판 상의 절연막으로 이어진 폴리머층의 하면에 의하여 형성된 이온 전계효과 트랜지스터
7 7
제2항에 있어서,상기 게이트 전극은 도전성을 갖는 금속으로 이루어진 전계효과 트랜지스터
8 8
제1 유로와 제1 유로에서 이격 배치된 제2 유로를 갖는 폴리머층 형성 단계;기판 상에 일방향으로 이어지며 금속으로 이루어진 게이트 전극 형성 단계; 및상기 폴리머층과 상기 기판을 접합하여 상기 폴리머층과 상기 기판 및 상기 게이트 전극에 의하여 둘러싸인 혼성 삼각 나노채널을 형성하는 혼성 삼각 나노채널 형성단계;를 포함하는 이온 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮도록 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계를 더 포함하는 이온 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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1 US08946785 US 미국 FAMILY
2 US20140238521 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014238521 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8946785 US 미국 DOCDBFAMILY
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