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저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법, 산화물 박막 및 그 전자소자

  • 기술번호 : KST2014057031
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01)
출원번호/일자 1020120137532 (2012.11.30)
출원인 전자부품연구원, 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1456237-0000 (2014.10.23)
공개번호/일자 10-2013-0116785 (2013.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20141103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120039035   |   2012.04.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.30)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영훈 대한민국 경기 성남시 분당구
2 박성규 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
2 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0993248-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1020078-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0784743-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0037787-34
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0147564-62
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0240450-71
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0354708-40
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0064357-31
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0449482-11
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0449481-76
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0344823-50
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.06.16 수리 (Accepted) 7-1-2014-0022279-07
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0684571-88
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0684570-32
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0529334-74
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0744792-57
19 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0681411-13
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하여 산화물 반도체막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 산화물 반도체막은 전자소자용 채널층인 산화물 박막 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 불활성 가스 분위기는 별도로 진공 프로세스를 진행하지 않은 대기 상태에서 상기 코팅된 산화물 용액에 상기 불활성 가스가 유입되는 것인 산화물 박막 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 자외선 조사 단계는 산화물 용액 내부에 금속-산소-금속(Metal-Oxygen-Metal, M-O-M) 본드들이 적어도 부분적인 네트워크를 형성하는 단계와 형성된 산화물의 불순물을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 산화물 박막 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 적어도 부분적인 네트워크를 형성하는 것은 50% 이상의 네트워크를 형성하는 것인 산화물 박막 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 불활성 가스 분위기는 질소 분위기, 아르곤 분위기, 또는 헬륨 분위기인 산화물 박막 제조방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 산화물 용액에는 금속 전구체와 용매가 포함되며, 상기 용매는 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol), 또는 이온제거수(Deionized water)인 산화물 박막 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 자외선의 파장은 150nm 내지 260nm인 산화물 박막 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 자외선의 파장은 160nm 내지 190nm인 산화물 박막 제조방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 자외선 조사의 이전, 또는 상기 자외선 조사와 함께, 상기 기판의 온도를 변화시키는 공정이 수행되는 산화물 박막 제조방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 자외선 조사의 유지 시간은 1분 내지 240분인 산화물 박막 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 자외선 조사의 유지 시간은 30분 내지 120분인 산화물 박막 제조방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 자외선 조사의 유지 시간은 90분 내지 120분인 산화물 박막 제조방법
13 13
삭제
14 14
제1 항에 있어서,상기 코팅은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 리버스 옵셋 프린팅, 그라비어 프린팅 또는 롤 프린팅 공정으로 진행되는 산화물 박막 제조방법
15 15
제1 항에 있어서,상기 산화물 용액은 징크 클로라이드(Zinc chloride), 징크 아세테이트(Zinc acetate), 징크 아세테이트 하이드레이트(Zinc acetate hydrate), 징크 나이트레이트(Zinc nitrate), 징크 나이트레이트 하이드레이트(Zinc nitrate hydrate), 징크 알콕사이드(Zinc alkoxides) 또는 이들의 유도체를 포함하는 아연 전구체;갈륨 나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 나이트레이트 하이드레이트(Gallium nitrate hydrate), 갈륨 아세테이트(Gallium acetate), 갈륨 아세테이크 하이드레이트(Gallium acetate hydrate), 갈륨 알콕사이드(Gallium alkoxides) 또는 이들의 유도체를 포함하는 갈륨 전구체;인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(Indium acetate hydrate), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 알콕사이드(Indium alkoxides) 또는 이들의 유도체를 포함하는 인듐 전구체;틴 클로라이드(Tin chloride), 틴 아세테이트(Tin acetate), 틴 나이트레이트(Tin nitrate), 틴 알콕사이드(Tin alkoxides) 또는 이들의 유도체를 포함하는 주석 전구체 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 산화물 박막 제조방법
16 16
제1 항 내지 제12항, 제14항 또는 제 15항 중 어느 한 항에 따른 산화물 박막 제조방법에 의해 제조되는 산화물 박막
17 17
제1 항 내지 제12항, 제14항 또는 제 15항 중 어느 한 항에 따른 산화물 박막 제조방법에 의해 제조되는 산화물 박막을 포함하는 전자소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02840590 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP06014243 JP 일본 FAMILY
3 JP27520716 JP 일본 FAMILY
4 US09881791 US 미국 FAMILY
5 US20150123115 US 미국 FAMILY
6 WO2013157715 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2840590 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2840590 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2015520716 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP6014243 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2015123115 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9881791 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2013157715 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 전자섬유 및 유연전자용 능동형 fiber 트랜지스터 소재 및 시스템 개발