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도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 위치하는 산화아연 반구체; 및상기 산화아연 반구체를 덮는 다공성 금속 산화물층을 포함하는 광전극
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제1항에 있어서,상기 산화아연 반구체는 상기 반구체의 중심에서 방사상으로 형성된 복수의 산화아연 나노로드를 포함하는 광전극
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제2항에 있어서,상기 산화아연 나노로드는 단결정 구조를 갖는 광전극
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 타이타늄 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물, 텅스텐산화물, 지르코늄 산화물, 스트론튬 산화물, 인듐 산화물, 마그네슘 산화물 및 알루미늄 산화물 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 광전극
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도전성 기판 상에 산화아연 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상에 산화아연 반구체를 수열 성장법에 의해 형성하는 단계; 및상기 산화아연 반구체가 형성된 기판 상에 다공성 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 광전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 산화아연 씨드층을 형성하는 단계는,상기 도전성 기판 상에 아연 금속을 증착한 후, 상기 아연 금속을 산화시키는 단계를 포함하는 광전극 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 산화아연 반구체를 형성하는 단계는,상기 씨드층을 제1 성장 배양액에 침지시켜 상기 씨드층으로부터 복수의 산화아연 나노로드를 방사상으로 성장시키는 단계; 및상기 방사상으로 성장된 산화아연 나노로드를 수직성장 억제제를 포함하는 제2 성장 배양액에 침지시켜 상기 나노로드의 측면성장을 촉진하는 단계를 포함하는 광전극 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 성장 배양액은 아연이온 공여체 및 수산화이온 공여체를 포함하는 광전극 제조방법
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제8항에 있어서,상기 아연이온 공여체는 아연 아세테이트, 아연 나이트레이트, 아연 설페이트 또는 아연 클로라이드를 포함하고,상기 수산화이온 공여체는 NaOH, Na2CO3, LiOH, H2O2, KOH, HMTA 또는 NH4OH를 포함하고,상기 수직성장 억제제는 음이온성 폴리머, 시트레이트 음이온 또는 알콕시 음이온을 포함하는 광전극 제조방법
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제5항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물층을 형성하는 단계는 금속 산화물 나노입자를 포함하는 금속 산화물 페이스트를 코팅하고 소결하여 수행하는 광전극 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자는 타이타늄 산화물 나노입자, 주석 산화물 나노입자, 아연 산화물 나노입자, 텅스텐 산화물 나노입자, 지르코늄 산화물 나노입자, 스트론튬 산화물 나노입자, 인듐 산화물 나노입자, 마그네슘 산화물 나노입자 및 알루미늄 산화물 나노입자 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 광전극 제조방법
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제7항에 있어서,상기 산화아연 나노로드의 측면성장을 촉진하는 단계는 산화아연의 등전점보다 높은 pH에서 수행되는 광전극 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 광전극;상기 광전극에 흡착된 감광성 염료;상기 광전극과 대향 배치되는 촉매전극; 및상기 광전극과 상기 촉매전극 사이에 개재되는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지
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제13항에 있어서,상기 촉매전극은 투명 도전성 기판 상에 금속염 및 셀룰로오스계 고분자가 함유된 촉매 전구 용액을 코팅한 후, 상기 고분자를 열분해하여 형성되는 것인 염료감응 태양전지
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