맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

강유전체 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014058612
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 변위전류의 조절에 의하여 생성되는 멀티레벨 분극(multilevel polarization, MLP) 상태를 포함하는 강유전체 메모리 소자, 및 상기 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110087959 (2011.08.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1300241-0000 (2013.08.20)
공개번호/일자 10-2013-0024486 (2013.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.31)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노태원 대한민국 서울특별시 서초구
2 이대수 대한민국 서울특별시 구로구
3 윤종걸 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0680724-70
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0084211-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0776548-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031872-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0098204-14
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0254256-57
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0321680-53
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0321677-15
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0543852-07
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강유전체 커패시터; 및상기 강유전체 커패시터에 전기적으로 연결된 트랜지스터를 포함하는 전류 제한기(current limiter)를 포함하고,상기 강유전체 커패시터의 분극 스위칭 과정 동안 상기 강유전체 커패시터가 멀티레벨 분극(multilevel polarization, MLP) 상태를 포함하며,상기 전류 제한기는 상기 트랜지스터에 연결된 저항 및 직류 전원을 포함하는 것인,강유전체 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전류제한기에 의하여 상기 강유전체 커패시터로부터의 유출 전류를 조절하는 것에 의하여 상기 강유전체 커패시터의 분극 스위칭 과정 동안 상기 강유전체 커패시터에 입출되는 변위전류(displacement current)를 제어함으로써 상기 강유전체 커패시터 내에 멀티레벨 분극 상태가 형성되는 것인, 강유전체 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제 2 항에 있어서,상기 변위전류를 제어함으로써 상기 분극 스위칭의 속도 및 양을 조절하여 상기 강유전체 커패시터 내에 원하는 분극값을 가지는 멀티레벨 분극 상태가 설계되는 것인, 강유전체 메모리 소자
5 5
제 2 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터는 상기 변위전류의 제어에 의하여 +Ps 내지 -Ps의 분극 도메인 배위를 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자
6 6
제 2 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터로부터의 유출 전류는 상기 강유전체 커패시터에 연결된 상기 트랜지스터의 베이스에 직류 바이어스 전압을 인가하여 조절되는 것인, 강유전체 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터는 상부 전극과 하부 전극 사이에 삽입된 강유전성 물질을 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 페로브스카이트계 강유전성 물질을 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 페로브스카이트계 강유전성 물질은 납 지르코늄 티타네이트, 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 납 티타네이트, 납 란타늄 지르코네이트 티타네이트, 란타늄 비스무스 티타네이트, 비스무스 철 산화물, 스트론튬 비스무스 탄탈라이트 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자
10 10
제 7 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 에피텍셜 박막의 형태를 가지는 것인, 강유전체 메모리 소자
11 11
제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전체 메모리 소자는 FeRAM 를 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자
12 12
강유전체 커패시터를 형성하고;상기 강유전체 커패시터에 전기적으로 연결된 트랜지스터를 포함하는 전류 제한기 (current limiter)를 형성하는 것을 포함하며,상기 전류 제한기는 상기 트랜지스터에 연결된 저항 및 직류 전원을 포함하는 것인,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제 12 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터는 상부 전극과 하부 전극 사이에 삽입된 강유전성 물질을 포함하여 형성되는 것인, 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 에피택셜 박막의 형태로 형성되는 것인, 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 에피택셜 박막은 펄스 레이저 증착 (Pulsed Laser Deposition) 에 의하여 형성되는 것인, 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
17 17
제 14 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 페로브스카이트계 강유전성 물질을 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
18 18
제 12 항에 있어서,상기 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터, 전계 효과 트랜지스터, 또는MOS형 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것인, 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09105345 US 미국 FAMILY
2 US20140233296 US 미국 FAMILY
3 WO2013032257 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2013032257 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014233296 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9105345 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013032257 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2013032257 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 기초연구사업 리더연구자지원사업 원자 및 전자 단위조작을 통한 신기능성을 갖는 산화물 계면 연구