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강유전체, 그 제조방법, 및 그 강유전체를 포함하는 반도체캐패시터와 ＭＥＭＳ 디바이스

  • 기술번호 : KST2015160108
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유전체막, 그 제조방법, 및 그 유전체막을 포함하는 반도체 캐패시터를 개시한다. 개시된 반도체 캐패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 상부에 형성되는 강유전체막, 상기 강유전체막 표면에 형성되는 상유전체막, 및 상기 상유전체막 상부에 형성되는 상부 전극을 포함한다. 강유전체막, 상유전체막, 잔류 분극, 항전압
Int. CL H01L 27/105 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 21/022(2013.01) H01L 21/022(2013.01) H01L 21/022(2013.01) H01L 21/022(2013.01)
출원번호/일자 1020080116395 (2008.11.21)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0104253 (2008.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2006-0079717 (2006.08.23)
관련 출원번호 1020060079717
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이현주 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0805050-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강유전체막과, 상기 강유전체막 표면에 형성되는 상유전체막을 포함하여 이루어진 강유전체로서,상기 강유전체의 잔류 분극(remanent polarization)과 항전계(coercive field)가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되며, 상기 상유전체막의 두께가 상기 강유전체막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 강유전체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), SBT(SrBi2Ta2O9), SBTN(SrBi2(Ta,Nb)O9), BLT((Bix,La1-x)4Ti3O12) 및 BST(BaxSr(1-x)TiO3) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 상유전체막은 Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5 및 Nb2O5 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체
4 4
강유전체막을 형성하는 단계와, 상기 강유전체막 표면에 상유전체막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 강유전체 제조방법으로서,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되도록 상기 강유전체막과 상기 상유전체막의 두께를 설정하며, 상기 상유전체막의 두께가 상기 강유전체막의 두께보다 얇게 되도록 상기 상유전체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막은 졸-겔법, 단원자 증착법, 화학기상 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 상유전체막은 단원자 증착법 또는 화학기상 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막을 형성하는 단계와, 상기 상유전체막을 형성하는 단계 사이에, 상기 강유전체막에 결정성을 부여하기 위해 400 내지 700℃의 온도에서 1 내지 300분간 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
8 8
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 강유전체막과 상기 강유전체막 표면에 상기 강유전체막의 두께보다 얇은 두께를 갖도록 형성된 상유전체막으로 이루어진 강유전체층;상기 강유전체층 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하며,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), SBT(SrBi2Ta2O9), SBTN(SrBi2(Ta,Nb)O9), BLT((Bix,La1-x)4Ti3O12) 및 BST(BaxSr(1-x)TiO3) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 강유전체막은 100 내지 10000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 상유전체막은 Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5 및 Nb2O5 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 상유전체막은 5 내지 200Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 강유전체막은 상기 강유전체막은 졸-겔법, 단원자 증착법, 화학기상 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성되고 상기 상유전체막은 단원자 증착법 또는 화학기상 증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
14 14
강유전체막과, 상기 강유전체막 표면에 형성되는 상유전체막을 포함하여 이루어진 강유전체를 이용하는 MEMS 디바이스로서,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되며, 상기 상유전체막의 두께는 상기 강유전체막의 두께보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용하는 MEMS 디바이스
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국가 R&D 정보가 없습니다.