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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014058793
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 멀티층 TiOx의　산소　프로파일　제어를　통해　터널 장벽 특성을　개선함으로써　높은　비선성형，내구성，및　균일도를　가지는　선택소자가 없는 ReRAM 소자가　개시된다. 선택소자가 없는 ReRAM 소자에서 TiOx의 산소 프로파일을 최적화함으로써 1S1R 타입 다바이스에 비해 비선형성 및 리드아웃 마진(1/2 Vread에서 낮은 ILRS)이 현저히 개선된다 그에 더해, 셋과 리셋 모드 모두에 대해 삼각 펄스를 인가하여 현저히 개선된 AC 스위칭 내구성이 얻어진다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020130146121 (2013.11.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1487626-0000 (2015.01.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구 수성구
2 이상헌 대한민국 경북 경산시 경산로**길 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1088365-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0725633-63
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1249714-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1249713-62
6 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0041289-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비휘발성 메모리 소자로서:제1전극;제2전극; 및상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는 제1금속산화층과 제2금속산화층을 가지는 저항변화층;을 포함하고,상기 제1금속산화층은 Ti0x층과 TiOy층(여기서 y 003e# x)을 포함하고, 상기 제2금속산화층은 Hf와 O를 포함하는 것인,비휘발성 메모리 소자
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청구항 1에 있어서,셋 및 리셋 동작에서 삼각 AC 펄스가 인가되는 것인,비휘발성 메모리 소자
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비휘발성 메모리 소자의 제조방법으로서:제1전극 상에 제1금속산화층을 형성하는 단계;상기 제1금속산화층을 산소분위기에서 어닐링하는 단계; 및상기 제1금속산화층 상에 제2전극을 포함하는 상부 구조를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1금속산화층은 상기 제1전극 상에 TiOx층을 형성한 후 상기 TiOx층을 산소분위기에서 어닐링하여 TiOy층을 상부에 형성하고(여기서, y 003e# x),상기 상부 구조는 상기 TiOy층 상에 제2금속산화층으로서 HfO2층을 형성한 후 상기 제2금속산화층 상에 제2전극을 형성하는 것인,비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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8 8
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청구항 6에 있어서,상기 제1전극은 Pt이고, 상기 제2전극은 Ti인 것인,비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 테라비트급 3차원 RERAM 원천기술 개발