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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되며, 복수의 금속 베이컨시를 갖는 반도체 산화물층; 및상기 반도체 산화물층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 반도체 산화물층은 CuxO(1≤x≤2)를 포함하는 CBRAM 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 전극은 포지티브 전압을 인가하여도 상기 반도체 산화물층으로 양이온이 이동되지 않는 물질로 형성되는 CBRAM 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 제 2 전극은 포지티브 전압을 인가하면 상기 반도체 산화물층으로 양이온이 이동되는 물질로 형성되는 CBRAM 소자
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4
청구항 3에 있어서, 상기 제 2 전극에 포지티브 전압이 인가되면 양이온이 상기 반도체 산화물층의 상기 금속 베이컨시에 환원되어 금속 브릿지가 형성되는 CBRAM 소자
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삭제
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청구항 4에 있어서, 상기 CuxO(1≤x≤2)는 CuO 및 Cu2O의 적어도 어느 하나를 포함하는 CBRAM 소자
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7
청구항 6에 있어서, 상기 CuO, Cu2O의 어느 하나에 그 이외의 어느 하나 및 NiO의 비율을 조절하여 상기 금속 베이컨시의 양 및 크기의 적어도 어느 하나를 조절하는 CBRAM 소자
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8
청구항 6에 있어서, 상기 반도체 산화물층의 두께, 형성 조건을 조절하여 상기 금속 베이컨시의 양 및 크기의 적어도 어느 하나를 조절하는 CBRAM 소자
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9
청구항 6에 있어서, 상기 반도체 산화물층은 10㎚ 내지 45㎚의 두께로 형성되는 CBRAM 소자
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10
청구항 9에 있어서, 상기 CuO는 10㎚ 내지 45㎚의 두께로 형성되고, 상기 Cu2O는 25㎚ 내지 40㎚의 두께로 형성되는 CBRAM 소자
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11
청구항 1에 있어서, 셋 전압이 0
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12
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 복수의 금속 베이컨시를 갖는 반도체 산화물층을 형성하는 단계;상기 반도체 산화물층을 열처리하는 단계; 및상기 반도체 산화물층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반도체 산화물층은 CuO, Cu2O의 적어도 어느 하나로 형성하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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13
삭제
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14
청구항 12에 있어서, 상기 CuO, Cu2O의 어느 하나에 그 이외의 어느 하나 및 NiO의 비율을 조절하여 상기 금속 베이컨시의 양 및 크기의 적어도 어느 하나를 조절하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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15
청구항 12에 있어서, 상기 반도체 산화물층의 두께, 형성 조건 및 열처리 조건을 조절하여 상기 금속 베이컨시의 양 및 크기의 적어도 어느 하나를 조절하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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16
청구항 15에 있어서, 상기 CuO 및 Cu2O는 CuO 타겟 및 Cu2O 타겟을 이용한 스퍼터 방법으로 형성하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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17
청구항 16에 있어서, 상기 CuO는 산소 및 불활성 가스를 공급하여 형성하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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18
청구항 17에 있어서, 상기 산소 가스는 상기 불활성 가스 대비 5% 내지 10%의 농도로 공급하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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19
청구항 15에 있어서, 상기 열처리 공정은 불활성 분위기에서 상온 내지 550℃의 온도에서 실시하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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20
청구항 19에 있어서, 상기 CuO는 350℃ 내지 550℃의 온도에서 열처리하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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21
청구항 19에 있어서, 상기 Cu2O는 상온 내지 265℃의 온도에서 열처리하는 CBRAM 소자의 제조 방법
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22
청구항 19에 있어서, 상기 Cu2O를 형성한 후 270℃ 내지 550℃의 온도에서 열처리하여 CuO로 변환시키는 CBRAM 소자의 제조 방법
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