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투광성 기판(Substrate);상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층;상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(hole);상기 복수의 홀(hole) 중 일부의 홀(hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 제 1전극;상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막;상기 복수의 홀(hole) 중 상기 제 1전극이 형성되지 아니한 홀의 측면 및 하부면에 형성되는 제 2보호막;상기 제 2보호막 및 상기 제 2반도체층 상에 형성되는 반사층 또는 전류확산층; 및 상기 반사층 또는 전류확산층상에 형성되는 제 2전극;을 구비하는 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 단위셀을 다수 구비하되, 상기 다수의 단위셀은 메탈라인의 형태로 형성되는 제 1전극 및 제 2전극에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 2항에 있어서, 상기 제 1전극 및 메탈라인의 상부를 커버하고, 상기 제 2전극의 측면과 접하도록 형성되며 제 1전극과 제 2전극의 쇼트(short)를 방지하는 제 3보호막;상기 제 2보호막의 소정영역이 제거된 홀(hole)을 통해 상기 제 1전극과 컨택되는 제 1메탈패드; 및상기 제 2전극과 컨택되며, 상기 제 1메탈패드와 이격되어 형성되는 제 2메탈패드; 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 3항에 있어서, 상기 제 3보호막 상의 상기 제 1메탈패드와 제 2메탈패드가 형성되지 않은 영역에 형성되고, 상기 제 1메탈패드 및 제 2메탈패드의 쇼트(short)를 방지하는 제 4보호막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1보호막, 제 2보호막, 제 3보호막 또는 제 4보호막은, SiO2, Si3N4, 레진(Resin)수지 또는 SOG(Spin on Glass) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층은, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐 산화물, 주석산화물, 실리콘 옥사이드(SiO₂), 실리콘 나이트라이드(Si₃N₄), 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류확산층은, 인듐주석산화물(ITO), 산화아연(ZnO), Ni/Au 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드
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투광성 기판 상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 2반도체층상의 소정거리로 이격된 영역마다 패터닝 후 식각하여 제 1반도체층의 상면이 노출되도록 상기 제 2반도체층 및 활성층을 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성하는 단계;상기 복수의 홀(hole) 중 일부의 홀(hole)의 측면부에 제 1보호막을 형성하는 단계;상기 제 1보호막이 형성된 홀(hole)을 통해 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 제 1전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극이 형성되지 아니한 홀(hole)의 측면과 하부면에 제 2보호막을 형성하는 단계;상기 제 2보호막이 형성된 홀(hole)과 상기 제 2반도체층상에 반사층 또는 전류확산층을 형성하는 단계; 및상기 반사층 또는 전류확산층상에 상기 제 2반도체층과의 컨택을 위한 제 2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 제 2전극 형성단계 후에, 상기 제 1전극 및 제 2전극을 각각 메탈라인의 형태로 형성하여 각각의 단위셀을 연결하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 메탈라인 형성단계 후에,상기 제 1전극 및 메탈라인의 상부를 커버하고, 상기 제 2전극의 측면에 접하는 제 3 보호막을 형성하는 단계;상기 제 3보호막의 소정영역을 제거하여 서로 이격되는 복수의 홀(hole)을 형성하는 단계;상기 홀(hole)을 통해 제 1전극과 컨택하는 제 1메탈패드를 형성하는 단계; 및 상기 제 2전극과 컨택되며, 상기 제 1메탈패드와 격리된 위치에 제 2메탈패드를 형성하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 제 2메탈패드 형성단계 후에,상기 제 1메탈패드 및 제 2메탈패드가 형성되지 않은 제 3보호막상에 제 4보호막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
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