| 1 |
1
초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드에 있어서,기판 위에 형성된 양극층 상에 증착 또는 코팅에 의하여 형성되는 정공주입층과;상기 전자 주입층 상에 유기물질층들이 교번적으로 적층되어 형성되되, 밴드갭이 2eV ~ 4eV 사이의 범위이고, 상기 각각의 유기물질층의 두께는 1nm ~ 20nm 사이의 범위로 동일한 두께를 가지는 유기반도체 초격자층과;상기 유기반도체 초격자층 상에 형성되는 전자주입층과;상기 전자주입층 상에 형성되는 음극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드
|
| 2 |
2
초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드에 있어서,기판 위에 형성된 음극층 상에 증착 또는 코팅에 의하여 형성되는 전자주입층과;상기 전자 주입층 상에 유기물질층들이 교번적으로 적층되어 형성되되, 밴드갭이 2eV ~ 4eV 사이의 범위이고, 상기 각각의 유기물질층의 두께는 1nm ~ 20nm 사이의 범위로 동일한 두께를 가지는 유기반도체 초격자층과;상기 유기반도체 초격자층 상에 형성되는 정공주입층과;상기 전공주입층 상에 형성되는 양극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기의 유기반도체 초격자층은 발광 효율을 증가시키기 위해 인광 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드
|
| 11 |
11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기의 유기반도체 초격자층은 발광 효율을 증가시키기 위해 상기의 초격자 층과 전자 주입층 사이에 정공 방지층 (hole blocking layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드
|
| 12 |
12
초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드에 있어서,기판 위에 형성된 양극층 상에 증착 또는 코팅에 의하여 형성되는 정공주입층과;상기 정공주입층 상에 유기물질층인 정공수송층과 전자수송층이 교번적으로 반복 적층되어 형성되되, 상기 정공수송층은 m-MTDATA(1,3,5-tris-(3-methylphenylphenyl- amino)triphenylamin), 상기 전자수송층은 Bphen(4,7 diphenyl-1,10-phenanthrolin)로 형성되고, 상기 정공수송층과 전자수송층의 각 두께는 1nm ~ 17nm 사이의 범위로 동일한 두께를 가지는 유기반도체 초격자층과;상기 유기반도체 초격자층 상에 형성되는 전자 주입층과;상기 전자주입층 상에 형성되는 음극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 갖는 유기 발광다이오드
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
