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저주파 ＰＥＡＬＤ 장비를 이용한 플라스틱 기판용 배리어 필름 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059353
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저주파 PEALD 장비를 이용한 플라스틱 기판용 배리어 필름 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 원자층 증착(PEALD, Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) 장비의 챔버 내에 저주파 전원을 인가하여 플라스틱 기판에 나노 크기의 무기 배리어 단일층을 형성함으로써 기체 투과 방지 특성을 향상시킬 수 있다.저주파 PEALD 장비, 플라스틱 기판, 배리어 층
Int. CL C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01) C23C 16/513(2013.01)
출원번호/일자 1020090130898 (2009.12.24)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1264257-0000 (2013.05.08)
공개번호/일자 10-2011-0074052 (2011.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성수 대한민국 서울특별시 송파구
2 김현기 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0802381-83
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0000207-75
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0014931-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0000957-94
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0760014-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0145059-01
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.22 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0143100-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0143099-70
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0150863-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0150864-56
12 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0021523-04
13 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0184760-47
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0024872-37
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0489226-44
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.22 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0858220-80
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0858218-98
18 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0146304-42
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0146303-07
20 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0289659-52
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0289660-09
22 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0282223-09
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
퍼지가스 유입 시간은 10초 내지 15초이고, 증착 사이클 횟수는 50 내지 100회이며, 60 Hz의 저주파 플라즈마를 인가하는 조건에서 플라즈마 원자층 증착법을 이용하여 11
2 2
삭제
3 3
폴리에테르설폰 기판을 플라즈마 원자층 증착장비의 반응기 내로 도입하여 반응가스를 도입하는 단계;상기 반응기 내에 소스물질을 유입하여 기판상에 흡착층을 형성하는 단계; 및 퍼지가스를 10초 내지 15초 동안 유입하여 상기 반응기 내에 잔류하는 소스물질 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계를 포함하는 사이클을 50 내지 100회 반복하여 기판상에 알루미늄 옥사이드 단일층을 형성하되,상기 단계의 적어도 일부 동안 60 Hz의 저주파 플라즈마를 인가하는 것을 특징으로 하는 제1항의 폴리에테르설폰 기판의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서,반응가스는 산소, 질소, 아산화질소, 수소 및 암모니아로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 폴리에테르설폰 기판의 제조방법
6 6
제3항에 있어서,소스물질이 알루미늄을 함유한 유기 또는 무기 화합물인 폴리에테르설폰 기판의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제3항에 있어서,반응기 내 기판 온도가 50 내지 180℃인 폴리에테르설폰 기판의 제조방법
9 9
제3항에 있어서,퍼지가스는 아르곤, 질소 및 헬륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 폴리에테르설폰 기판의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항의 폴리에테르설폰 기판을 포함하는 플렉서블 디스플레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 경희대학교 산학협력단 지역혁신센터사업(RIC) 디스플레이 부품소재 지역혁신센터(RIC-CAMID)