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진공 챔버;상기 챔버 내부의 상단부에 위치하는 기판 홀더;냉각수 또는 냉각기류가 관을 타고 상기 기판 홀더의 내부 또는 외부를 이동하는 형태를 가지며, 상기 기판 홀더에 직접 연결되어 장착된 기판의 온도를 10 내지 50 ℃로 유지하는 냉각부; 상기 진공 챔버 내부의 하단에 위치하며, 상기 진공 챔버 내부로 헥사플루오로프로필렌옥사이드를 포함하는 공정 가스를 주입하여 상기 기판 상에 고투과성 박막을 형성하기 위한 가스 주입부;상기 기판 홀더와 가스 주입부 사이에 위치하고, 촉매의 가열을 위한 전력 공급부가 연결된 촉매 저장부; 및 상기 기판 홀더와 촉매 저장부 사이에 위치하는 셔터;를 포함하는, 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 고투과성 박막의 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판, 실리콘 기판, 및 투명 전도성 무기물 기판으로 이루어진 군에서 선택된 고투과성 박막의 제조 장치
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제3항에 있어서, 400 내지 800nm의 영역에서, 상기 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판에 상기 고투과성 박막이 형성된 후의 투과율이 형성되기 전의 투과율 보다 2%이상 큰 고투과성 박막의 제조 장치
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제3항에 있어서, 500 내지 800nm의 영역에서, 상기 투명 전도성 무기물 기판에 상기 고투과성 박막이 형성된 후의 투과율이 형성되기 전의 투과율 보다 1% 이상 큰 고투과성 박막의 제조 장치
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제3항에 있어서, 380 내지 700nm의 파장 영역에서, 상기 실리콘 기판 상에 상기 고투과성 박막이 형성된 후에 반사율이 형성되기 전의 반사율 보다 10%이상 작은 고투과성 박막의 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 촉매 저장부에 위치하는 촉매가 500 내지 1200℃로 가열되는 고투과성 박막의 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 촉매 저장부에 위치하는 촉매는 텅스텐(W), 니켈크롬(NiCr), 니켈-크롬-철 합금(Ni-Cr-F alloy), 철(Fe), 스테인리스 강(stainless steel), 몰리브덴(MO), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 및 백금(Pt)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고투과성 박막의 제조 장치
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냉각수 또는 냉각기류가 이동하는 관을 이용하여 진공 챔버 내의 기판 홀더에 장착된 기판의 온도를 10 내지 50℃로 유지하는 단계;촉매 저장부 내의 촉매를 가열하는 단계; 및상기 진공 챔버 내부의 하단에 위치하는 가스 주입부를 통해, 헥사플루오로프로필렌옥사이드를 포함하는 공정 가스를 진공 챔버 내로 주입하여 촉매 반응시키는 단계;를 포함하는 제 1 항의 제조 장치를 이용한 고투과성 박막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 진공 챔버는 10-6 Torr이하의 압력으로 유지되는 고투과성 박막의 제조 방법
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제11항에 있어서,촉매 저장부 내의 촉매를 가열하는 단계는,상기 촉매를 500 내지 1200℃로 가열하는 단계를 포함하는 고투과성 박막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 진공 챔버 내부로 주입되는 공정 가스는 100 내지 800 mTorr의 분압 및 4 내지 20 sccm의 유량을 갖는 고투과성 박막의 제조 방법
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