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굴절률 제어층이 포함된 광학결정에 의한 광 제어 장치

  • 기술번호 : KST2014059799
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 빛의 반사와 간섭을 이용한 디스플레이용 광 변조 소자에 관한 것으로 빛의 전반사 조건을 만족하는 고 굴절률 소재와 저 굴절률 소재가 교대로 형성된 다층막으로 구성된 1차원 광학결정 소자의 내부에 액정 및 이방성 물질이 포함된 것을 특징으로 한다. 소자는 투명 전극에 의한 전계의 인가로 다층막 내부에 존재하는 액정 및 이방성 물질의 배향을 제어하고, 이는 소재의 굴절률 변화를 유발하므로 빛의 광 경로가 변화되어 초기의 빛의 전 반사 조건이 파괴됨에 따라 빛의 투과를 제어하는 것이 특징이다. 광 변조 소자, 광학 결정, 액정, 이방성 물질, 빛의 전 반사
Int. CL G02B 26/00 (2006.01.01) G02B 5/28 (2006.01.01) G02F 1/1333 (2006.01.01)
CPC G02B 26/001(2013.01) G02B 26/001(2013.01) G02B 26/001(2013.01) G02B 26/001(2013.01)
출원번호/일자 1020080006483 (2008.01.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1325327-0000 (2013.10.29)
공개번호/일자 10-2009-0080620 (2009.07.27) 문서열기
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서동학 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최진식 대한민국 서울특별시 광진구
3 조영석 대한민국 서울특별시 구로구
4 김원중 대한민국 서울특별시 동작구
5 육주영 대한민국 서울특별시 송파구
6 장은호 대한민국 서울특별시 서초구
7 김남주 대한민국 전라북도 익산시 선화로길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0051415-08
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0480173-87
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0499464-02
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0117079-13
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0117081-05
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080409-84
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0744698-30
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0109703-08
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163502-83
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0262809-38
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0348085-73
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2013.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0046282-59
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0501313-90
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0501247-74
16 등록결정서
Decision to grant
2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0737812-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
하부 투명전극;상기 하부 투명전극 상에 형성되고, 고굴절률층 및 저굴절률층이 교대로 반복 적층된 다층막; 및상기 다층막 상에 형성된 상부 투명전극을 포함하고,상기 고굴절률층의 두께는 kλ/RL이고(k는 정수, λ은 적용 광원의 파장, RL은 고굴절률층의 굴절률임),상기 저굴절률층의 두께는 ((2l-1)λ)/(4×RS)이고(l은 정수, λ은 적용 광원의 파장, RS은 저굴절률층의 굴절률임),상기 고굴절률층 또는 저굴절률층은 유무기 나노입자를 함유한 고분자층이고,상기 상부 투명전극 및 상기 하부 투명전극에 전계인가로 상기 고굴절률층 또는 저굴절률층의 굴절률이 변화되고,상기 고굴절률층 또는 저굴절률층의 굴절률 변화는 상기 유무기 나노입자의 분포 밀도 변화에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 변조 소자
2 2
하부 투명전극;상기 하부 투명전극 상에 형성되고, 고굴절률층 및 저굴절률층이 교대로 반복 적층된 다층막; 및상기 다층막 상에 형성된 상부 투명전극을 포함하고,상기 고굴절률층의 두께는 kλ/RL이고(k는 정수, λ은 적용 광원의 파장, RL은 고굴절률층의 굴절률임),상기 저굴절률층의 두께는 ((2l-1)λ)/(4×RS)이고(l은 정수, λ은 적용 광원의 파장, RS은 저굴절률층의 굴절률임),상기 고굴절률층 또는 저굴절률층은 탄성고분자, 열가소성 엘라스토머, 고분자 겔, 및 이들의 블록 공중합체와 플라스틱 크리스탈로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 고분자층이고,상기 고분자층 내부에 액정 및 이방성물질로 구성된 군에서 선택된 어느 하나가 위치하고,상기 상부 투명전극 및 상기 하부 투명전극에 전계인가로 상기 고굴절률층 또는 저굴절률층의 굴절률이 변화되고,상기 고굴절률층 또는 저굴절률층의 굴절률 변화는 상기 전계인가시 액정 또는 이방성 물질의 배향의 변화에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 변조 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 고분자는 열가소성고분자, 가교고분자, 탄성고분자, 열가소성 엘라스토머, 고분자 겔, 및 이들의 블록 공중합체와 플라스틱 크리스탈로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 광 변조 소자
5 5
제2항에 있어서,상기 고굴절률층 또는 저굴절률층은 선형 또는 가교 고분자에 액정 또는 이방성 물질이 화학적으로 결합된 구조, 및 선형 또는 가교 고분자 내부에 액정 또는 이방성 물질이 독립적으로 존재하는 구조로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 구조를 갖는 광 변조 소자
6 6
350nm 내지 2000nm 사이의 각각 다른 파장 대역을 제어할 수 있도록 제1항 또는 제2항의 광 변조 소자 2종 이상을 다층으로 적층하여 구성된 광 변조 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 소재원천기술개발사업 디스플레이용 광모듈레이터 소재합성 및 필름화 기술