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분산/유화 중합법을 이용한 복합 나노입자의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 탄소/실리콘 복합 나노입자

  • 기술번호 : KST2014059800
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 나노입자 코어층;상기 실리콘 나노입자 코어층 외각에 형성되고, 1.2×10-1 내지 4.0×10-1 cc/g 부피의 공극을 포함하는 다공성 버퍼층; 및상기 다공성 버퍼층 외각에 형성된 탄소계 물질 피복층;을 포함하는 탄소/실리콘 복합나노입자가 제공된다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) B82Y 5/00 (2017.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020100127642 (2010.12.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1280546-0000 (2013.06.25)
공개번호/일자 10-2012-0066349 (2012.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.14)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서경도 대한민국 서울 강동구
2 선양국 대한민국 서울특별시 강남구
3 임형석 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0823401-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0017653-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0351395-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0667096-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0667097-24
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0774265-22
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0148303-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0148304-42
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0421541-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 나노입자 코어층;상기 실리콘 나노입자 코어층 외각에 형성되고, 1
2 2
제1항에 있어서,상기 공극이 형성된 다공성 버퍼층이 금속산화물층인 탄소/실리콘 복합나노입자
3 3
제2항에 있어서,상기 금속산화물층에 포함되는 금속 산화물은 SiOx(1≤x≤2)로 표시되는 실리콘 산화물 또는 TiO2인 것인 탄소/실리콘 복합나노입자
4 4
제1항에 있어서,상기 다공성 버퍼층의 공극률이 10% 이상이고, 100% 미만인 탄소/실리콘 복합나노입자
5 5
제1항에 있어서,상기 다공성 버퍼층은 공극률 100%인 빈 공간인 탄소/실리콘 복합나노입자
6 6
제1항에 있어서,상기 다공성 버퍼층의 두께가 10nm 내지 50nm인 탄소/실리콘 복합나노입자
7 7
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노입자 코어층의 입자 직경이 50nm 내지 200 nm인 탄소/실리콘 복합나노입자
8 8
제1항에 있어서,상기 탄소계 물질 피복층은 인조흑연, 천연흑연, 흑연화 탄소 섬유 또는 비정질 탄소로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 탄소/실리콘 복합나노입자
9 9
제1항에 있어서,상기 탄소계 물질 피복층의 두께가 10nm 내지 100nm인 탄소/실리콘 복합나노입자
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,촉매, 센서, 바이오 기술, 태양광 소자, 타켓 약물전달 물질, 소형 모바일, 바이오기술, 태양광 소자, 신재생 에너지 저장 또는 대용량 전력자장 시스템 용도의 탄소/실리콘 복합나노입자
11 11
실리콘 입자를 유기용매 및 물의 혼합 용액에 넣은 분산액을 준비한 후, 상기 분산액에 촉매와 금속 전구체 화합물을 첨가하여 졸-겔 반응에 의해 금속 산화물이 코팅된 실리콘 입자를 제조하는 단계;상기 금속 산화물로 코팅된 실리콘 입자를 탄소계 물질로 코팅한 뒤, 탄화과정에 의해 최외각에 탄소계 물질 피복층을 형성하는 단계; 및에칭 공정에 의해 상기 탄소계 물질 피복층 내부의 금속 산화물을 일부 또는 전부를 에칭하여 공극을 포함하는 공극이 형성된 다공성 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 분산액 중 물의 함량은 유기 용매 100 중량부 대비 10 내지 40 중량부인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 유기 용매의 구체적인 예는, 메탄올, 에탄올 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 금속 전구체 화합물이 실라놀기를 갖는 모노머, 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS), 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트(TMSPM), 티타튬 이소프로폭사이드 및 티타튬 부톡사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
15 15
제11항에 있어서,상기 금속 산화물은 SiOx(1≤x≤2)로 표시되는 실리콘 산화물 또는 TiO2인 것인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
16 16
제11항에 있어서,상기 금속 산화물로 코팅된 실리콘 입자, 탄소 전구체 화합물 및 유기 용매를 포함하는 혼합 용액을 50 내지 80℃로 가열된 계면활성제, 개시제, 및 물의 혼합용액에 적가하여 분산시키며 중합하여 상기 금속 산화물로 코팅된 실리콘 입자를 탄소계 물질로 코팅하는 단계를 수행하는 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 탄소 전구체 화합물은 아크릴로니트릴 모노머인 것인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
18 18
제16항에 있어서,상기 탄소계 물질은 폴리아크릴로니트릴이고, 상기 탄소계 물질로 코팅된 입자를 탄화시켜 최외각에 탄소계 물질 피복층이 형성된 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
19 19
제11항에 있어서,상기 금속 산화물로 코팅된 실리콘 입자를 탄소계 물질로 코팅한 뒤, 탄화과정에 의해 최외각에 탄소계 물질 피복층을 형성하는 단계에서,상기 탄화과정은 700 내지 1000℃에서 가열하는 과정을 포함하는 것인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
20 20
제11항에 있어서,상기 에칭 공정은 에칭액으로서 불산, 염산, 질산 또는 암모니아를 사용하는 습식 에칭 공정인 탄소/실리콘 복합나노입자의 제조 방법
21 21
제11항에 있어서, 상기 에칭 공정은: 에칭액의 농도를 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구산업(일반연구자지원사업) 고성능 리튬이온전지용 실리콘기반 고용량 음극소재 개발