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하기 [화학식 1]로 표시되는 정공수송 고분자 화합물;[화학식 1] 상기 화학식에서, R1은 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 2 내지 30이고 N, O 또는 S 원자를 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며,R2는 치환 또는 비치환된 트리페닐아민 및 치환 또는 비치환된 카르바졸로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 트리페닐아민 및 카르바졸에 치환되는 치환기는 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 2 내지 30이고 N, O 또는 S 원자를 포함하는 헤테로아릴기 및 트리페닐아민기 중에서 선택되며,m 및 n은 1 내지 50 사이의 정수임
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제1항에 있어서, 상기 R2는 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 5]로 표시되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 정공수송 고분자 화합물;[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] , , ,
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하기 [반응식 1]에 따라 [화학식 8]의 화합물과 테트라 노르말 부틸암모늄 플로라이드를 반응시켜 하기 [화학식 1]로 표시되는 정공수송 고분자 화합물의 제조방법; [반응식 1] [화학식 8] [화학식 1]상기 반응식에서, R1은 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 2 내지 30이고 N, O 또는 S 원자를 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며,R2는 치환 또는 비치환된 트리페닐아민 및 치환 또는 비치환된 카르바졸로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 트리페닐아민 및 카르바졸에 치환되는 치환기는 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 2 내지 30이고 N, O 또는 S 원자를 포함하는 헤테로아릴기 및 트리페닐아민기 중에서 선택되며,m 및 n은 1 내지 50 사이의 정수임
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제4항에 있어서, 하기 [반응식 2]에 따라 하기 [화학식 6]의 화합물이 연속적으로 형성된 고분자와 하기 [화학식 7]의 화합물을 포타슘 나프탈레나이드 또는 세컨더리 부틸리튬(sec-BuLi) 하에서 반응시켜 제조된 하기 [화학식 8]로 표시되는 정공수송 고분자 화합물의 제조방법;[반응식 2] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8]
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제5항에 있어서, 상기 [화학식 6]의 화합물이 연속적으로 형성된 고분자는 [화학식 6]의 화합물을 포타슘 나프탈레나이드 또는 세컨더리 부틸리튬(sec-BuLi)로 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 정공수송 고분자 화합물의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 [화학식 6]의 화합물과 [화학식 7]의 화합물은 1:0
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제4항에 있어서, 상기 R2는 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 5]로 표시되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 정공수송 고분자 화합물의 제조방법;[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] , , ,
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제1 전극, 발광층을 포함한 2층 이상으로 이루어진 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층한 형태의 고분자발광다이오드에 있어서,상기 유기물층 중 1층 이상이 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자발광다이오드
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제9항에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하며, 상기 정공수송층은 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자발광다이오드
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제9항에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 인광성 도펀트 또는 형광성 도펀트의 이원화합물로 구성되어 있으며, 상기 호스트 물질은 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 고분자발광다이오드
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