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티에닐렌비닐렌계 화합물을 함유하는 유기 반도체층을 구비한 유기전계효과트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174720
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기전계효과트랜지스터 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계효과트랜지스터는 기판 상에 위치하는 유기 반도체층을 구비한다. 상기 유기 반도체층은 하기 화학식 1로 표시되는 티에닐렌비닐렌계 화합물을 함유한다. 상기 유기 반도체층의 상부 또는 하부에 상기 유기 반도체층과 중첩된 게이트 전극이 위치한다. 상기 유기 반도체층의 양측 단부들에 소오스 전극과 드레인 전극이 각각 접속한다.003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5와 R6는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, A는 , , , , , , , , , , , , 또는 이고, n은 1 내지 1000 중 어느 하나의 정수이고, m은 0 내지 1000인 중 어느 하나의 정수이다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020080111722 (2008.11.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1198905-0000 (2012.11.01)
공개번호/일자 10-2010-0052854 (2010.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20121107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동유 대한민국 광주광역시 북구
2 임보규 대한민국 광주광역시 북구
3 백강준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0779926-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004521-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0391589-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0718090-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0718105-18
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0007723-18
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.02.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0004648-15
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2011.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0140307-70
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2011.04.20 수리 (Accepted) 7-8-2011-0010905-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0116242-27
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0340641-38
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0427869-03
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0427901-77
16 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0490169-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 상에 위치하는 하기 화학식 2로 표시되는 티에닐렌비닐렌계 화합물을 함유하는 유기 반도체층;상기 유기 반도체층의 상부 또는 하부에서 상기 유기 반도체층에 중첩된 게이트 전극; 및상기 유기 반도체층의 양측 단부들에 각각 접속하는 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 유기전계효과트랜지스터: 003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서, R1 과 R6는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 25의 알킬기이고,R2와 R5는 수소이고,A는 , , , , , , , , , , , , 또는 이고, n은 1 내지 1000 중 어느 하나의 정수이고, m은 0 내지 1000인 중 어느 하나의 정수이다
3 3
제2항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 티에닐렌비닐렌계 화합물에서 R1 및 R6는 C12H25이고, m은 0인 유기전계효과트랜지스터
4 4
기판 상에 하기 화학식 2로 표시되는 티에닐렌비닐렌계 화합물을 함유하는 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층을 형성하기 전 또는 후에 상기 유기 반도체층과 중첩하도록 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 유기 반도체층의 양측 단부들에 각각 접속할 수 있도록 소오스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계효과트랜지스터의 제조방법: 003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서, R1 과 R6는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 25의 알킬기이고,R2와 R5는 수소이고,A는 , , , , , , , , , , , , 또는 이고, n은 1 내지 1000 중 어느 하나의 정수이고, m은 0 내지 1000인 중 어느 하나의 정수이다
5 5
제4항에 있어서,상기 유기 반도체층은 용액 공정을 사용하여 형성하는 유기전계효과트랜지스터의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 유기 반도체층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 유기전계효과트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.