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제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광 구조물;상기 발광 구조물의 상부에 배치되며, 요철 패턴을 구비하는 유전체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하되, 상기 요철 패턴은 유전체층의 표면 내에 형성되는 마이크로 요철 패턴과, 상기 마이크로 요철 패턴이 구비된 유전체층의 전면에 형성되는 나노 요철 패턴을 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 마이크로 요철 패턴은 곡률 반경을 가지는 렌즈, 원뿔대 및 다각뿔 중에서 선택되는 어느 하나의 형상을 가진 요철이 일정한 주기로 복수개 형성된 패턴인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 요철 패턴은 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 뿔 형상의 요철이 일정한 주기로 복수개 형성된 패턴인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 요철 패턴의 주기는 입사광의 반파장 이내인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 함유하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 발광 구조물은 기판의 일면에 배치되는 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 기판의 타면에 배치되는 반사층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 n형 화합물 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 화합물 반도체층인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 발광 구조물과 상기 유전체층 사이에 개재되는 투명 전극층을 더 포함하는 발광 다이오드
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기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계상기 발광 구조물의 상부에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 유전체층의 표면 내에 마이크로 요철 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마이크로 요철 패턴이 형성된 상기 유전체층의 전면에 나노 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유전체층은 전자빔 증착법, 스퍼터링법 및 화학 기상 증착법 중에서 선택되는 어느 하나를 통해 수행되는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유전체층의 표면 내에 마이크로 요철 패턴을 형성하는 단계는,상기 유전체층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트 패턴을 가열 용융하는 단계; 및상기 가열 용융된 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 유전체층을 식각하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 나노 요철 패턴을 형성하는 단계는,상기 마이크로 요철 패턴이 포함된 유전체층의 전면에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막을 열처리하여 금속 나노마스크를 형성하는 단계; 및상기 금속 나노마스크를 식각 마스크로 하여 상기 유전체층을 식각하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 나노 요철 패턴을 형성하는 단계 이후, 상기 기판의 하면에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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