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마스크 없는 선택적 습식식각을 이용하는 Ⅲ - 질화물계반도체 발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013709
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자 제조방법은, n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층(32)과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층(34) 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층(40)을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법으로서, 결함들이 존재하는 위치가 우선적으로 식각되어 상부접촉층(34)의 윗 표면에 식각홈(etch pit)이 형성되도록 상부접촉층(34)의 윗 표면을 마스크 없이 습식식각함으로써 상부접촉층(34)의 윗 표면에 표면거칠기를 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상부접촉층(34)의 표면굴곡으로 인하여 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하여 외부광자효율이 증가하게 되고, 이 때, 식각을 위한 마스크를 사용하지 않기 때문에 공정이 간단하고, 나아가 건식식각이 아닌 습식식각을 사용하기 때문에 식각 잔류물이 상부접촉층(34) 표면에 잔존하는 것이 방지되어 식각 잔류물에 의한 발광효율의 저하도 방지할 수 있다. 그리고, 부수적으로 표면거칠기의 증가로 인하여 상부접촉층(34)과 p형 전극(50) 사이의 접촉면적이 증가되어 구동전압이 낮아지게 되어 소자의 전기적 특성도 향상되게 된다. 습식식각, 식각홈, 발광효율, 표면거칠기, p-GaN
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020040025731 (2004.04.14)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0608930-0000 (2006.07.27)
공개번호/일자 10-2005-0100485 (2005.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20060808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나석인 대한민국 광주광역시북구
2 김자연 대한민국 광주광역시북구
3 한대섭 대한민국 광주광역시북구
4 김석순 대한민국 광주광역시북구
5 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0153940-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0001784-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0042265-12
6 의견서
Written Opinion		 2006.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0188615-21
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0188635-34
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0414846-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n-AlGaInN으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlGaInN으로 이루어지는 상부접촉층 사이에 개재되는 AlGaInN으로 이루어지는 발광 활성층을 포함하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 결함들이 존재하는 위치가 우선적으로 식각되어 상기 상부접촉층의 윗 표면에 식각홈(etch pit)이 형성되도록 상기 상부접촉층의 윗 표면을 마스크 없이 습식식각함으로써 상기 상부접촉층의 윗 표면에 표면거칠기를 부여하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 습식식각은 pH가 11~ 14 인 염기성 용액에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 염기성 용액이 KOH 또는 NaOH 용액인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 습식식각은 pH가 1~4인 산성 용액에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 산성 용액이 인산, 황산, 아세트산, 질산, 불산 및 염산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 식각홈이 위에서 내려다 봤을 때 각형 또는 도랑형태를 하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 식각홈이 1x10 ~ 1x1010/㎠의 개수로 존재하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 식각홈이 10nm ~ 10um의 폭과 깊이를 가지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 식각홈이 10nm ~ 10um의 폭과 깊이를 가지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.