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굴절률 분포형 고분자 광섬유 모재 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062480
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반경방향의 굴절률 분포가 중심부에서 외주부 쪽으로 갈수록 순차적으로 감소됨으로써 대역특성이 향상된 동심정렬 다층구조의 굴절률 분포형 고분자 광섬유 모재 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL G02B 6/00 (2006.01)
CPC G02B 6/02038(2013.01) G02B 6/02038(2013.01) G02B 6/02038(2013.01)
출원번호/일자 1020030062741 (2003.09.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0543531-0000 (2006.01.09)
공개번호/일자 10-2005-0025806 (2005.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.08)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준경 대한민국 서울특별시동대문구
2 박민 대한민국 서울특별시노원구
3 이상수 대한민국 경기도고양시일산구
4 이건웅 대한민국 서울특별시서초구
5 박찬용 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2003-0336504-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0014638-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0401130-99
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0476349-79
6 등록결정서
Decision to grant
2005.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0660834-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
굴절률과 직경이 서로 다르고 직경이 작을수록 높은 굴절률을 갖는 2 개 이상의 고분자 중합관을 동심정렬로 포함하고, 중심부에 가장 굴절률이 높은 중합봉을 포함하며, 상기 고분자 중합관들 사이의 공간에 인접하는 고분자 중합관들이 갖는 굴절률의 중간값을 갖는 단량체 혼합액이 충진됨으로써, 중심부에서 외주부로 갈수록 감소하는 연속적인 굴절률 분포를 갖고 대역특성이 향상된 동심정렬 다층구조의 연속 굴절률 분포형 고분자 광섬유 모재
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 중합관이 서로 다른 굴절률을 갖는 2 가지 이상의 단량체의 공중합체로부터 제조되고, 상기 2 가지 이상의 단량체 간의 혼합비율이 조절됨으로써, 상기 고분자 중합관이 원하는 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 광섬유 모재
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단량체 혼합액이 굴절률이 서로 다른 2 가지 이상의 단량체로 구성되고, 상기 2 가지 이상의 단량체 간의 혼합비율이 인접하는 두 고분자 중합관 굴절률의 중간값의 굴절률을 갖는 중합체를 얻을 수 있도록 설계되며, 상기 단량체 혼합액이 고분자 중합관 사이에서 분자간 확산과 동시에 중합되어 상기 인접하는 고분자 중합관의 굴절률 사이에서 완만하게 변하는 굴절률 분포를 갖는 중합체로 존재하는 것을 특징으로 하는 고분자 광섬유 모재
4 4
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 단량체가 2,2,2-트리플루오르 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 4-메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 플로로프릴 메타크릴레이트, 페닐에틸메타크릴레이트, 페닐시클로헥실 메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트 및 이들의 불소치환체 또는 염소치환체로 구성된 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 광섬유 모재
5 5
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 고분자 중합관 또는 단량체 혼합액이 도펀트에 의하여 추가적으로 굴절률이 조절되는 것을 특징으로 하는 고분자 광섬유 모재
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 도펀트가 디페닐설파이드, 트리페닐설파이드, 브로모벤젠, 브로모나프탈렌 및 벤질-n-부틸 프탈레이트로 구성된 군 중에서 선택되며, 0
7 7
굴절률이 서로 다른 2 가지 이상의 단량체를 공중합하여 다양한 굴절률을 갖는 공중합체를 제조하고, 상기 공중합체를 이용하여 굴절률이 작을수록 큰 직경을 갖도록 2 개 이상의 고분자 중합관을 제조하고, 상기 공중합체 중 가장 굴절률이 큰 공중합체를 이용하여 상기 고분자 중합관 중 가장 작은 중합관의 내경 이하의 직경을 갖는 중합봉을 제조하고, 상기 중합봉을 중심으로 외주부로 갈수록 굴절률이 작아지도록 상기 고분자 중합관들을 순차적으로 동심정렬시키고, 상기 고분자 중합관 사이의 공간에 인접하는 두 고분자 중합관 굴절률의 중간값의 굴절률을 갖도록 설계된 단량체 혼합액을 충진시키고, 분자간 확산에 의하여 충분히 팽윤시킨 후 중합시키는 단계를 포함하는, 중심부에서 외주부로 갈수록 감소하는 연속적 굴절률 분포를 갖고 대역특성이 향상된 동심정렬 다층구조의 굴절률 분포형 고분자 광섬유 모재의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 서로 다른 굴절률을 갖는 2 가지 이상의 단량체 간의 혼합비율을 조절함으로써 고분자 중합관이 원하는 굴절률을 갖도록 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 단량체가 2,2,2-트리플루오르 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 4-메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 플로로프릴 메타크릴레이트, 페닐에틸메타크릴레이트, 페닐시클로헥실 메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트로 및 이들의 염소치환체 또는 불소치환체로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 중합관의 제조시에 도펀트를 첨가하여 고분자 중합관이 원하는 굴절률을 갖도록 추가적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 도펀트로서 디페닐설파이드, 트리페닐설파이드, 브로모벤젠, 브로모나프탈렌 및 벤질-n-부틸 프탈레이트로 구성된 군 중에서 선택된 것을 0
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 고분자 중합관을 반응기를 수평축을 중심으로 회전시켜 원심력을 부여하는 배치방식으로 제조함으로써, 외부 이물질의 혼입을 방지하고 전송손실을 감소시키고, 얻어진 중합관이 상하 일정한 두께를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 반응기의 회전속도를 50 rpm 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 방법
14 13
제 12 항에 있어서, 상기 반응기의 회전속도를 50 rpm 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.