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ＷＳｉ₂―ＳｉＣ 나노 복합 피복층 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062559
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텅스텐 또는 텅스텐 합금들의 표면상에 형성된 WSi2-SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법들에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재들 표면에 텅스텐 탄화물 피복층 (WC, W2C)을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 방법으로 제조된 나노 복합 피복층은 나노 크기의 등축정 WSi2 결정입계에 나노 크기의 SiC 입자들이 균일하게 분포된 미세조직을 특징으로 하며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 입자들의 부피 분율과 분포 형태를 조절하여 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 WSi2-SiC 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 모재와 피복층의 열팽창계수 차에 의해 발생하는 피복층 내의 크랙을 감소시켜 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한 SiC의 우선적인 산화에 의해서 피복층의 표면에 치밀한 SiO2 산화피막을 형성함으로서 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다.텅스텐, WSi₂-SiC 나노 복합 피복층, 고온 내산화성
Int. CL C23C 14/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) C23C 14/34 (2011.01)
CPC C23C 28/34(2013.01) C23C 28/34(2013.01) C23C 28/34(2013.01) C23C 28/34(2013.01) C23C 28/34(2013.01) C23C 28/34(2013.01)
출원번호/일자 1020060131214 (2006.12.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0816671-0000 (2008.03.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤진국 대한민국 서울특별시 노원구
2 김긍호 대한민국 서울특별시 성북구
3 홍경태 대한민국 서울특별시 노원구
4 도정만 대한민국 서울 도봉구
5 이경환 대한민국 경기 고양시 일
6 손근형 대한민국 서울특별시 용산구
7 지영수 대한민국 서울 동대문구
8 김한성 대한민국 경기 남양주시
9 이종권 대한민국 서울 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0946876-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0045666-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0611969-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0037936-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0037937-90
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0138749-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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(가) 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 텅스텐과 탄소를 동시에 기상증착하여 W2C 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 W2C 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-(17-19
10 10
(가) 모재로서 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 스퍼터링법에 의해서 W2C 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 W2C 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-(17-19
11 11
제9항에 있어서, 상기 단계 (가)에서는 일산화탄소(CO), 메탄 (CH4), 에틸렌 (C2H4), 혹은 메틸렌 아이오다이드 (CH2I2) 중의 하나를 사용하여 탄소를 화학증착하고, 이와 동시에 WF6, WCl6 또는 W(CO)6를 사용하여 텅스텐을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
12 12
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 단계 (나)에서는 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
13 13
제9항 또는 제10항에 있어서 상기 단계 (나)에서는 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하여 팩 실리코나이징법에 의하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
14 14
(가) 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 텅스텐과 탄소를 동시에 기상증착하여 WC 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 WC 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-32
15 15
(가) 모재로서 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 스퍼터링법에 의해서 WC 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 WC 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-32
16 16
제14항에 있어서, 상기 단계 (가)에서는 일산화탄소(CO), 메탄 (CH4), 에틸렌 (C2H4), 혹은 메틸렌 아이오다이드 (CH2I2) 중의 하나를 사용하여 탄소를 화학증착하고, 이와 동시에 WF6, WCl6 또는 W(CO)6를 사용하여 텅스텐을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
17 17
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 단계 (나)에서는 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
18 18
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 단계 (나)에서는 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하여 팩 실리코나이징법에 의하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
19 19
(가) 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 텅스텐과 탄소를 동시에 기상증착하여 모재 표면에 WC 피복층을 형성하고 그 위에 W2C 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 텅스텐 탄화물 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-(32
20 20
(가) 모재로서 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 표면에 스퍼터링법에 의해서 WC 피복층을 형성하고 그 위에 W2C 피복층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 텅스텐 탄화물 피복층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 WSi2-(32
21 21
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 나노 복합 피복층의 SiC 부피 분율이 모재쪽에서 표면쪽으로 갈수록 감소하도록 경사구조화시키는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
22 22
제19항에 있어서, 상기 단계 (가)에서는 일산화탄소(CO), 메탄 (CH4), 에틸렌 (C2H4), 혹은 메틸렌 아이오다이드 (CH2I2) 중의 하나를 사용하여 탄소를 화학증착하고, 이와 동시에 WF6, WCl6 또는 W(CO)6를 사용하여 텅스텐을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
23 23
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 단계 (나)에서는 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
24 24
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 단계 (나)에서는 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하여 팩 실리코나이징법에 의하여 실리콘을 화학증착하는 것을 특징으로 하는 WSi2-SiC 나노 복합 피복층의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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