맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

Ｔｉ 비정질 나노 분말과 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051269
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 T계 비정질 나노 분말과 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 Ti계 비정질 나노 분말은 화학식 Ti100-a-b-c-dAlaCobYcId로 표시되며, 상기 식 중 a, b, c 및 d는 원자%로 각각 10≤a≤30, 10≤b≤30, 1≤c≤10, 0.1≤d≤5이고, 상기 I는 불순물이다. 비정질 분말, 2상 비정질 합금, 선택 부식.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01) C01G 51/006(2013.01)
출원번호/일자 1020060082249 (2006.08.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0767719-0000 (2007.10.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.29)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에릭 플러리 프랑스 서울특별시 성북구
2 김유찬 대한민국 서울특별시 강북구
3 석현광 대한민국 서울특별시 도봉구
4 자야마니 자야라지 인도 서울특별시 성북구
5 김도향 대한민국 서울특별시 서초구
6 박병주 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0623219-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0029956-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0414886-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0568381-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0568382-25
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0519230-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학식 Ti100-a-b-c-dAlaCobYcId로 표시되며, 상기 식 중 a, b, c 및 d는 원자%로 각각 10≤a≤30, 10≤b≤30이고, 1≤c≤10 및 0
2 2
제1 항에 있어서, 상기 Ti계 비정질 분말은 화학식 (Ti56Al24Co20)α(Y56Al24Co20)(100-α)로 표시되고, 상기 α는 원자%로 30≤α≤50인 2상 비정질 합금으로부터 형성되는 Ti계 비정질 나노 분말
3 3
제2 항에 있어서,상기 2상 비정질 합금은 두께가 5㎛ 내지 50㎛이고, 폭이 1mm 내지 10mm인 리본(ribbon)의 형태로 형성되는 Ti계 비정질 나노 분말
4 4
제1 항에 있어서,상기 Ti계 비정질 나노 분말은 2상 비정질 합금을 선택 부식하여 형성되는 Ti계 비정질 나노 분말
5 5
제4 항에 있어서,상기 선택 부식은 HNO3 용액에서 이루어지는 Ti계 비정질 나노 분말
6 6
제4 항에 있어서,상기 선택 부식시의 활성전극은 상기 2상 비정질 합금인 Ti계 비정질 나노 분말
7 7
제1 항에 있어서,상기 비정질 분말은 구형으로 형성되는 Ti계 비정질 나노 분말
8 8
제1 항에 있어서,상기 Ti계 비정질 나노 분말은 20nm 내지 200nm의 크기를 갖는 Ti계 비정질 나노 분말
9 9
제1 항에 따른 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법으로서,Ti, Y, Al, Co 및 기타 불순물을 용융하여 혼합하는 단계;상기 용융 금속을 냉각시켜 2상 비정질 합금을 형성하는 단계; 및선택 부식에 의해 상기 2상 비정질 합금의 연속되는 기지를 제거하여 비정질 분말을 형성하는 단계를 포함하는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 Ti계 비정질 나노 분말은 화학식 (Ti56Al24Co20)α(Y56Al24Co20)(100-α)로 표시되고, 상기 α는 원자%로 30≤α≤50인 2상 비정질 합금으로부터 형성하는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 2상 비정질 합금은 두께가 5㎛ 내지 50㎛이고, 폭이 1mm 내지 10mm인 리본(ribbon)의 형태로 형성하는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
12 12
제9 항에 있어서,상기 선택 부식은 HNO3 용액에서 이루어지는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 선택 부식시의 활성전극으로 상기 2상 비정질 합금을 이용하는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
14 14
제9 항에 있어서,상기 비정질 분말은 구형으로 형성되는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
15 15
제9 항에 있어서,상기 Ti계 비정질 나노 분말은 20nm 내지 200nm의 크기를 갖는 Ti계 비정질 나노 분말의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.