| 1 |
1
전단에 타겟과의 결합을 위한 결합 부재가 설치된 내부 전극과, 상기 내부 전극과 절연되도록 상기 내부 전극 주위에 동축(同軸)으로 설치된 외부 전극과, 플라즈마 핀치 효과에 의해 타겟으로부터 분리된 물질이 증착되는 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 이루어진 플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법에 있어서,상기 내부 전극과 외부 전극 사이에 Ar과 O2의 혼합 가스를 유입하여 기판에 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 혼합 가스를 이루는 Ar과 O2의 혼합비는 30%:70% ∼ 70%:30%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 물질 증착 시 공정 압력은 800∼2000 mTorr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법
|
| 4 |
4
Ar과 O2의 혼합 가스 분위기하에서, RF 스퍼터링 장치를 사용한 물질 A의 증착 중에 플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 B의 증착이 단속적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 물질 A는 산화물이고, 상기 물질 B는 금속 물질이거나 혹은 상기 물질 A와 다른 성분의 산화물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스 장치를 사용한 물질 증착 방법
|
| 6 |
6
반응 챔버와,상기 반응 챔버에 장착되는 플라즈마 포커스 장치 및 RF 스퍼터링 장치와,상기 반응 챔버 내로 가스를 유입하는 가스유입구와,상기 반응 챔버 내에 설치되며, 상기 플라즈마 포커스 장치 및 RF 스퍼터링 장치에 의해 물질 증착이 이루어지는 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는플라즈마 포커스-RF 스퍼터링 복합 장치
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 가스유입구로 유입되는 가스는 Ar과 O2의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스-RF 스퍼터링 복합 장치
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 포커스 장치와 상기 RF 스퍼터링 장치 간의 상호 간섭을 방지하는 1:1 변압기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스-RF 스퍼터링 복합 장치
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 포커스 장치에서 플라즈마 포커스 현상시 발생한 전류가 방출되는 경로 상에 절연체가 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 포커스-RF 스퍼터링 복합 장치
|
