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ＺｎＯ 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014062553
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Zn-Si-O 복합체 박막을 실리콘기판 위에 형성시키는 단계(S1); 및 상기 형성된 박막을 열처리하는 단계(S2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히, Zn-Si-O 복합체 박막의 조성 및 열처리온도를 조절하여 ZnO 나노 결정을 비정질 Zn-Si-O 복합체 박막 내에 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 ZnO 나노 결정 제조 방법을 이용하면 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 형성시킬 수 있으므로, 실리콘기판을 이용하여 ZnO 나노 결정을 광전소자로 응용할 수 있는 가능성이 향상된다. Zn-Si-O 복합체 박막, ZnO 나노 결정, 스퍼터링, 캐쏘도루미네센스(cathodoluminescence), 광전소자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/203 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070000143 (2007.01.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0835666-0000 (2008.05.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영환 대한민국 서울 노원구
2 조운조 대한민국 경기 의정부시
3 김성일 대한민국 서울 노원구
4 김춘근 대한민국 서울 강남구
5 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0002512-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064698-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0049871-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0220813-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0220814-21
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0282910-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO 나노 결정을 제조하는 방법으로서, Zn-Si-O 복합체 박막을 실리콘기판 위에 형성시키는 단계(S1); 및상기 형성된 박막을 열처리하는 단계(S2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제조방법은 실리콘기판 상의 비정질 Zn-Si-O 복합체 박막 내에 ZnO 나노 결정을 형성시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 S1 단계는 스퍼터링 방법을 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 S1단계는 실리콘 및 ZnO 타케트의 면적비를 조절하여 Zn-Si-O 복합체 박막의 Zn/Si 조성비를 결정하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 Zn-Si-O 복합체 박막은 Zn/Si 조성비가 1
6 6
제1항에 있어서 상기 S1 단계는 아르곤 가스에 산소 가스를 혼합하여 산화분위기 하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 아르곤 가스와 산소 가스는 1:1로 혼합하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 S1 단계는 실리콘기판을 가열하지 않고, 박막을 형성시키는 공정 중에 생성되는 입자들의 충돌에 의해 기판온도가 올라가도록 하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 S2 단계는 650 내지 750℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 S2 단계는 승온속도 70℃/초 이상의 급속열처리공정을 사용하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 S2 단계는 질소 또는 아르곤을 이용한 비활성 분위기를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노 결정을 실리콘기판 위에서 직접 제조하는 방법
12 12
실리콘기판;상기 실리콘기판 위에 형성된 Zn-Si-O 복합체 박막; 및상기 복합체 박막 내에 형성된 ZnO 나노 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자
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1 US07732054 US 미국 FAMILY
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1 US2008160292 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7732054 US 미국 DOCDBFAMILY
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