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(a) 진공조 내에 위치한 전도성 시료대 위에 고분자를 위치시키는 단계,(b) 진공조 내에 플라즈마원의 기체를 도입하는 단계,(c) 도입된 플라즈마원 기체로부터 플라즈마를 발생시키는 단계,(d) 시료대 위쪽에 설치된 금속 타겟에 음의 전압을 가하여 플라즈마로부터 추출된 이온을 타겟 금속에 스퍼터링하는 단계 및(e) 음의 고전압 펄스를 상기 고분자에 가하여 플라즈마로부터 추출된 이온을 고에너지를 보유한 상태로 상기 고분자의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 고분자 표면에 금속 박막을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 고분자 시료가 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌인 방법
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제1항에 있어서, 플라즈마원 기체가 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 기체 또는 이들의 혼합 기체인 방법
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제1항에 있어서, 금속 타겟이 구리, 은, 알루미늄 및 스테인레스 스틸로 구성된 군으로부터 선택된 금속인 방법
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제1항에 있어서, 금속 타겟에 -100 V 내지 -2 kV의 음의 DC 전압 또는 펄스 폭 1 ms 내지 999 ms의 펄스 전압을 가하는 방법
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제1항에 있어서, 고분자에 가하는 고전압 펄스가 펄스 전압 -500 V 내지 -50 kV, 펄스-오프시 전압 0 V 내지 -1 kV, 펄스 폭 1 μsec 내지 100 μsec, 펄스 주파수 10 Hz 내지 10 kHz의 값을 사용하는 것인 방법
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제1항에 있어서, 고분자와 금속 타겟에 동시에 전압을 인가하거나 금속 타겟에 전압을 인가한 후 고분자에 고전압 펄스를 인가하는 방법
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전기 접지 (12)에 접지된 진공조 (1) 및 진공 펌프 (2), 진공조 내에 사용 기체를 도입시키기 위한 기체 도입 장치 (10), 도입된 기체를 이용하여 플라즈마 (6)을 발생시키기 위한 안테나 (5)와 RF 전원 장치 (3) 및 매칭 네트워크 (4), 플라즈마 이온을 가속시켜 이온을 주입하기 위해 -500 V 내지 -50 kV의 음의 고전압 펄스가 인가되는 고분자 시료 (7)을 지지하기 위한 전도성 시료대 (8), 고분자 기판에 필요한 -500 V 내지 -50 kV의 음의 고전압 펄스를 발생시키는 고전압 펄스 발생 장치 (9), 금속 소스가 고정되어 있는 타겟 (13)과 금속 타겟에 음의 전압을 인가하는 전원 장치 (14)를 포함하는, 고분자 표면에 금속 박막을 형성하기 위한 장치
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