| 1 |
1
Ti 또는 고온 내식성의 SUS로 이루어진 금속기판에 하부전극을 형성하는 단계와,
압전물질의 파우더를 비이클과 혼합하고 분산하여 파우더 페이스트를 형성하는 페이스트형성단계와,
상기 하부전극이 스크린 프린팅된 금속기판 상에 상기 파우더 페이스트를 스크린 프린팅하여 박막으로 형성하는 페이스트코팅단계와,
상기 금속기판의 파우더 페이스트 코팅면 상에 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계와,
상기 파우더 페이스트가 코팅된 금속기판을 800℃ 내지 1000℃의 범위에서 짧은 시간 동안 열처리하는 급속열처리(RTA)단계와,
상기 파우더 페이스트 코팅층에 전압을 가하는 분극단계를 포함하는
압전소자 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 급속열처리단계는 30초 내지 400초 범위에서 수행되는
압전소자 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,
상기 압전물질 파우더는 PZT 계열 분말인
압전소자 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,
상기 압전물질 파우더는 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 상부전극 및 하부전극 각각은 Pt, Cu, Al, Au 또는 Ti 중 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어지는
압전소자 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 상부전극 및 하부전극 각각은 DC 스퍼터링 또는 전자 빔 증착(electron beam evaporation) 방식으로 파우더 페이스트 코팅면 상에 형성되는
압전소자 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 상부전극 및 하부전극 각각은 Ag로 이루어지는
압전소자 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 상부전극 및 하부전극 각각은 금속기판 상에 스크린 프린팅되는
압전소자 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,
상기 페이스트코팅단계에서 상기 금속기판에 스크린 프린팅된 파우더 페이스트를 상기 급속열처리단계 전에 400℃에서 2시간동안 건조시켜 비이클 및 유기바인더를 제거하는 단계를 더 포함하는
압전소자 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상부전극 또는 하부전극의 소결 온도는 급속열처리단계의 열처리 온도에 근접한 온도이고, 급속열처리단계에서 상부전극 및 하부전극의 소결이 동시에 이루어지는
압전소자 제조방법
|
