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제1항에 있어서, 상기 가단계에서 상기 알루미늄 모재 100 기준중량부에 대해 상기 실리콘 모재는 0
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제2항에 있어서, 상기 나 단계의 진공화는 상기 가스 아토마이징 장비의 챔버 내부의 불순 가스로 인한 용융된 모재의 산화 및 불순물로 인한 오염을 억제하기 위해 6Pa 내지 1X10-3 Pa로 상기 가스 아토마이징 장비의 챔버 내부를 진공화하고, 상기 다 단계는 상기 상부 도가니와 상기 하부 도가니의 온도를 600 내지 1100℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 라 단계에서 상기 하부 도가니의 상기 오리피스홀의 내경은 1 내지 15mm 크기로 된 것이 적용되며, 상기 가스 아토마이징 장비의 하부 챔버로 용융된 상기 아르곤 가스를 5 내지 18 atm으로 분사시키는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 바 단계는 상기 가스 아토마이징 장비의 챔버 내부를 10 내지 60 분간 공냉 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 사 단계는 상기 가스 아토마이징 장비에 의해 제조된 Al-Si(Cu) 분말을 상기 몰드 내에 충진하고 성형 프레스를 이용하여 1400 내지 1600kgf의 압력으로 예비 가압을 하고 5 내지 15분간 유지시키는 예비가압과정을 포함하는 것을 특징으로 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 아 단계는 상기 몰드 내에 전계를 인가하기 위한 상기 방전플라즈마 소결장치의 챔버 내의 상부전극과 상기 몰드 내에 상방향에서 진입되는 상부 펀치 사이에는 그라파이트 소재로 된 복수개의 상부 스페이서가 상기 상부 펀치를 향할 수록 외경이 작게 형성된 것이 적용되고, 상기 방전플라즈마 소결장치의 챔버 내의 하부전극과 상기 몰드 내에 하방향에서 진입되는 하부 펀치 사이에는 그라파이트 소재로 된 복수 개의 하부 스페이서가 상기 하부 펀치를 향할수록 외경이 작게 형성되어 있고, 상기 상부 스페이서는 상기 상부전극으로부터 상기 상부 펀치 방향으로 원형상으로 형성된 제1상부 스페이서와, 제2 상부 스페이서 및 제3상부 스페이서가 마련되어 있고, 상기 하부 스페이서는 상기 방전플라즈마 소결장치의 챔버 내의 하부전극으로부터 몰드 방향으로 원형상으로 형성된 제1하부 스페이서와, 제2 하부 스페이서 및 제3하부 스페이서가 마련되어 있으며, 상기 제1 상부 스페이서 및 상기 제1하부 스페이서는 직경이 350mm, 두께가 30mm이고, 상기 제2 상부 스페이서 및 상기 제2하부 스페이서는 직경이 300mm, 두께가 60mm이고, 상기 제3 상부 스페이서 및 상기 제3하부 스페이서는 직경이 100 내지 200mm, 두께가 15 내지 30mm인 것이 적용된 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 자 단계는 상기 방전플라즈마 소결 장치 챔버 내부에서 상기 분말의 산화 및 불순물로 인한 오염을 억제하기 위해 6Pa 내지 1X10-3 Pa로 상기 방전플라즈마 소결 장치의 챔버 내부를 진공화 하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 차 단계는 상기 몰드내에 충진된 분말에 10 내지 100MPa의 압력을 유지하면서, 10 내지 100℃/min의 승온속도로 승온 하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 차 단계에서 상기 최종 목표 온도는 350 내지 500℃로 적용되며, 상기 카단계에서 상기 최종목표 온도를 1 내지 10분간 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 타 단계는 상기 몰드내에 소결된 소결체에 가해진 압력을 설정된 최저압으로 낮추어 상기 방전플라즈마 소결 장치 내부를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 Al-Si(Cu) 스퍼터링 타겟 제조방법
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