1 |
1
(a) 솔더볼이 형성된 기판을 유체가 담긴 용기에 넣고 상기 용기에 접촉되는 열판을 가열하는 단계; (b) 펌프를 구동시켜 호스를 통하여 상기 용기 내로 공기를 주입하여 상기 유체 내에 버블을 생성하는 단계;(c) 상기 버블을 유동시켜 반도체 소자를 순환하여 상기 가열로 용융된 솔더볼의 모세관력 및 상기 버블의 견인력으로 상기 반도체 소자를 상기 솔더볼에 부착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는상기 반도체 소자가 상기 기판에 부착되는 경우, 상기 버블을 일정한 속도로 상기 기판을 통과시켜 상기 버블의 견인력에 의해 상기 기판에 부착된 반도체 소자를 상기 기판으로부터 분리시키는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는상기 버블의 견인력이 상기 반도체 소자의 표면 에너지보다 크고 상기 용융된 솔더볼의 모세관력보다 작은 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 열판은 80 내지 300℃ 로 가열하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에(d) 상기 기판 상에 제1 통전막 및 제2 통전막을 순차적으로 증착하는 단계;(e) 상기 제2 통전막 상에 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 및 제2 통전막을 에칭하여 섬 형태의 제1 및 제2 통전극의 적층을 형성하는 단계; (f) 상기 제1 및 제2 통전극의 적층의 표면 상에 상기 솔더볼을 부착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 (e) 단계는상기 제2 통전막 상에 레지스트막을 형성하고 노광을 수행하여 감광시키는 단계; 상기 레지스트막을 현상하여 투광되는 예정 영역을 덮는 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트 패턴 하부 외에 형성된 제1 및 제2 통전막을 에칭하여 상기 레지스트 패턴 하부에 상기 섬 형태의 제1 및 제2 통전극의 적층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 (f) 단계는예열 구간과 리플로우 구간을 나누어서 수행하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
8 |
8
제 7항에 있어서,상기 예열 구간은 145 내지 155℃에서 55 내지 65초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 리플로우 구간은 상기 솔더볼의 용융점 온도에서 25 내지 35초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
10 |
10
제 5 항에 있어서,상기 제1 통전막은 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiN) 및 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 중 어느 하나를 450 내지 550 옹스트롱(Å)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
11 |
11
제 5 항에 있어서,상기 제2 통전막은 구리(Cu), 구리 산화물 및 구리 황화물 중 어느 하나를 2900 내지 3100 옹스트롱(Å)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
12 |
12
제 5 항에 있어서,상기 제1 및 제2 통전극의 적층은 상부면의 한변의 길이가 0
|
13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 솔더볼은 직경이 0
|
14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 반도체 소자는 나노부품, 초미세 센서 및 실리콘 블록 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|
15 |
15
제 1 항에 있어서,상기 반도체 소자는 상부면의 한변의 길이가 900 내지 1000 um 인 정방형의 크기로 설정 가능한 것을 특징으로 하는 유체 자가조립 방법
|