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기재의 표면에 구(球) 형상의 제(N)비드를 다수 개 배열하는 제(N)비드배열단계;상기 제(N)비드를 에칭마스크로 하여 상기 기재의 표면을 식각하는 제(N)식각단계;상기 기재의 표면에 상기 제(N)비드 보다 큰 직경을 갖는 구(球) 형상의 제(N+1)비드를 다수 개 배열하는 제(N+1)비드배열단계;상기 제(N+1)비드를 에칭마스크로 하여 상기 기재의 표면을 식각하는 제(N+1)식각단계;상기 식각된 기재의 표면에서 상기 비드를 제거하는 비드제거단계; 및상기 비드가 제거된 후 계층적 구조(hierarchical structure)의 미세요철이 형성된 기재의 표면에 불소화합물을 코팅하는 불소화합물코팅단계를 포함하고,상기 제(N+1)비드배열단계 및 제(N+1)식각단계는 N회 반복되는 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제(N)비드는,스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 리프팅업(lifting up), 전기영동 코팅(electrophoretic deposition), 화학적 또는 전기화학적 코팅(chemical or electrochemical deposition) 및 전기분사(electrospray) 중 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 상기 기재의 표면에 배열되는 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 식각은,에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 사용하는 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 기재는,유리, 석영판(Quartz plate), 실리콘 및 플라스틱 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 에칭가스는,CF4, CHF3, C2F6, C3F6, C3F8, C4F10, HF, HBr, SF6, NF3, SiCl4, SiF4, BCl3, CCl4, CClF3, CCl2F2, C2ClF5, O2 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 에칭가스는,H2 가스가 혼합된 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 불소화합물이 코팅된 기재의 표면은 (CF3-), (-(CF2-CF2)n-, -(O(CF2)m)n-, -((CF2)mO)n-, -(OC(CF3)FCF2)n- 및 -(C(CF3)FCF2O)n- 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 불소화합물코팅단계는,딥코팅, 스핀코팅, 불소 실란계 화합물의 셀프 어셈블드 모노레이어(Self-assembled monolayer) 처리방법, 불소계 단량체의 아톰 트랜스퍼 래디칼 폴리머리제이션(Atom transfer radical polymerization) 방법을 이용한 표면중합법, 불소계 단량체의 그라프팅-프럼(grafting-from) 표면중합법, 불소계 화합물의 그라프팅-투(grafting-to) 표면중합법, 플라즈마를 이용한 불소계화합물의 표면중합법 및 플라즈마를 이용한 불소화합물의 표면개질 중 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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제 6항 또는 제8항에 있어서, 상기 N은,49이하의 자연수인 것을 특징으로 하는 초발수 표면 제조 방법
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