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유리 재질로 형성된 기재(A)의 표면을 가공하여 무반사 표면 및 초발수 표면을 제조하는 방법에 있어서,
(a) 구(球) 형상을 갖는 복수 개의 비드를, 상기 기재(A)의 일측면에 단일층으로 배열하는 비드 배열단계;
(b) 상기 복수 개의 비드를 식각하여, 각 비드 간에 일정 간격이 이격된 형태의 에칭마스크를 형성하는 비드 식각단계;
(c) 상기 복수 개의 비드를 에칭마스크로 하여, 상기 기재(A)의 일측면을 식각하는 기재 식각단계;
(d) 상기 식각된 기재(A)의 일측면에서 상기 복수 개의 비드를 제거하는 비드 제거단계;
(e) 상기 복수 개의 비드가 제거된 후 미세요철이 형성된 기재(A)의 일측면에 불소화합물을 코팅하는 불소화합물 코팅단계;
(f) 상기 기재(A)의 가공된 표면을 뒤집는 기재 표면 전환단계;
(g) 상기 기재(A)의 가공되지 않은 타측면에, 구(球) 형상을 갖는 복수 개의 비드를 단일층으로 배열하는 2차 비드 배열단계;
(h) 상기 복수 개의 비드를 식각하여, 각 비드 간에 일정 간격이 이격된 형태의 에칭마스크를 형성하는 2차 비드 식각단계;
(i) 상기 복수 개의 비드를 에칭마스크로 하여, 상기 기재(A)의 타측면을 식각하는 2차 기재 식각단계;
(j) 상기 식각된 기재(A)의 타측면에서 상기 복수 개의 비드를 제거하는 2차 비드 제거단계; 및
(k) 상기 복수 개의 비드가 제거된 후, 미세요철이 형성된 기재(A)의 타측면에 불소화합물을 코팅하는 2차 불소화합물 코팅단계를 포함하고,
상기 복수 개의 비드는,
각 비드가 갖는 지름의 크기가 200nm 이하로 형성되며, 스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 리프팅업(lifting up), 전기영동 코팅(electrophoretic deposition), 화학적 또는 전기화학적 코팅(chemical or electrochemical deposition) 및 전기분사(electrospray) 중 선택된 어느 하나 이상의 방법으로, 상기 기재(A)의 표면에 배열되고,
상기 식각은,
에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 사용하고,
상기 에칭가스는,
H2 가스가 혼합되고, 상기 기재(A)가 유리 재질이며 상기 비드가 플라스틱 재질일 경우에는, 상기 비드 식각단계에서는 O2, CF4, Ar 중 선택된 어느 하나 이상을 이용하며 상기 기재 식각단계에서는 CF4, SF6, HF 중 선택된 어느 하나 이상을 이용하여 비드 및 기재를 식각하고,
상기 불소화합물이 코팅된 기재(A)의 표면은,
(CF3-), (-(CF2-CF2)n-, -(O(CF2)m)n-, -((CF2)mO)n-, -(OC(CF3)FCF2)n- 및 -(C(CF3)FCF2O)n- 중 어느 하나 이상이고(여기서, 상기 m은 1 이상 25 이하이고, 상기 n은 1 이상 100 이하이다
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